株式會社電裝勅使河原明彥獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社電裝申請的專利元件形成晶片及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114762141B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080080179.X，技術領域涉及：H10N30/09；該發明授權元件形成晶片及其制造方法是由勅使河原明彥;鈴木愛美設計研發完成，并于2020-11-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本元件形成晶片及其制造方法在說明書摘要公布了：進行以下步驟：準備具有多個芯片形成區域101的半導體晶片100；在半導體晶片100上形成薄層110；設薄層110中的構成芯片形成區域101中的各個元件的部分為元件構成部分110a，調整應力以使元件構成部分110a的應力成為規定值。并且，在調整應力的步驟中，進行以下步驟：在薄層110a上配置抗蝕劑120；利用形成有開口部201的光掩模200將抗蝕劑120曝光；將抗蝕劑120顯影而在該抗蝕劑120中形成開口部；以抗蝕劑120為掩模進行離子注入；在將抗蝕劑120曝光的步驟中，利用基于在元件構成部分110a中產生的應力調整了開口部的比率的光掩模。
本發明授權元件形成晶片及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種元件形成晶片的制造方法，該元件形成晶片在半導體晶片上形成有薄層，該元件形成晶片的制造方法的特征在于， 進行以下步驟： 準備具有多個芯片形成區域的上述半導體晶片； 在上述半導體晶片上形成上述薄層；以及 設上述薄層中的上述芯片形成區域中的構成各個元件的部分為元件構成部分，調整應力以使上述元件構成部分的應力成為規定值； 在上述調整應力的步驟中，進行以下步驟： 在上述薄層上配置抗蝕劑； 利用形成有開口部的光掩模將上述抗蝕劑曝光； 將上述抗蝕劑顯影而在該抗蝕劑中形成開口部；以及 以上述抗蝕劑為掩模而進行離子注入； 在將上述抗蝕劑曝光的步驟中，利用基于在上述元件構成部分中產生的應力而調整了上述開口部的比率的上述光掩模。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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