江蘇第三代半導體研究院有限公司王國斌獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江蘇第三代半導體研究院有限公司申請的專利HEMT器件、基于GaN襯底的HEMT外延結構及制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114420753B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011174655.2，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權HEMT器件、基于GaN襯底的HEMT外延結構及制作方法是由王國斌;王建峰;徐科設計研發完成，并于2020-10-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本HEMT器件、基于GaN襯底的HEMT外延結構及制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種HEMT器件、基于GaN襯底的HEMT外延結構及制作方法。所述基于GaN襯底的HEMT外延結構包括在N面極性的半絕緣GaN襯底上依次形成的界面處理層、勢壘層、隔離層、溝道層和接觸層。本發明基于N面GaN襯底的特性，提出全新外延結構的HEMT器件，與傳統結構相比具有更高的頻率特性；以及，GaN襯底以及半絕緣特性能夠通過前期制備完成，可以避免后期生長高阻外延層帶來的不利影響；并且同質外延不存在異質襯底上高密度位錯緩沖層的問題，在外延前進行適當的界面處理，可完全阻斷漏電通道的產生。
本發明授權HEMT器件、基于GaN襯底的HEMT外延結構及制作方法在權利要求書中公布了：1.一種基于GaN襯底的HEMT外延結構，其特征在于，包括在N面極性的半絕緣GaN襯底上依次形成的界面處理層、勢壘層、隔離層和溝道層； 其中，所述界面處理層的材質為AlN，所述界面處理層的生長條件包括：以50~80%的氫氣和20~50%的氨氣為原料，于1050℃~1100℃、400~700mbar條件下反應5~10分鐘，以去除所述半絕緣GaN襯底表面的雜質元素；然后通入Al源，并控制Al源的流量大于0且小于或等于50μmolmin。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江蘇第三代半導體研究院有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市工業園區金雞湖大道99號蘇州納米城中北區23幢214室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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