上海電力學院湯乃云獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海電力學院申請的專利一種基于二維材料制備的場效應晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109830533B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910093297.3，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權一種基于二維材料制備的場效應晶體管是由湯乃云;馬逸晨設計研發完成，并于2019-01-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于二維材料制備的場效應晶體管在說明書摘要公布了：本發明涉及一種基于二維材料制備的場效應晶體管，包括從下到上依次布置的襯底、上表面具有下凹槽的二氧化硅介質層、以及布置在二氧化硅介質層上并覆蓋住所述下凹槽的二維材料層，在二維材料層沿下凹槽走向的兩端部區域分別設置有一個有機材料體，在二維材料層沿垂直下凹槽走向的兩側區域分別生長一個金屬電極。與現有技術相比，本發明的場效應晶體管當對有機材料進行輻照時，會產生局部加熱，導致有機材料發生縮聚反應，從而對下方二維材料產生了應力，進而使得二維材料禁帶寬度減小，電子遷移率提高，二維材料場效應晶體管性能進一步提升，此外，制備方法簡便，產品電子遷移率高、穩定性好等。
本發明授權一種基于二維材料制備的場效應晶體管在權利要求書中公布了：1.一種基于二維材料制備的場效應晶體管，其特征在于，包括從下到上依次布置的襯底、上表面具有下凹槽的二氧化硅介質層、以及布置在二氧化硅介質層上并覆蓋住所述下凹槽的二維材料層，在二維材料層沿下凹槽走向的兩端部區域分別設置有一個有機材料體，在二維材料層沿垂直下凹槽走向的兩側區域分別生長一個金屬電極； 所述襯底采用硅材料制成，其厚度為100-500μm； 所述二氧化硅介質層的厚度為50-200nm； 所述二維材料層的材料為二硫化鉬； 所述二維材料層的厚度在2nm內； 所述有機材料體采用低密度聚乙烯制成，其厚度為10-200nm； 所述金屬電極的材料為金、銀、鋁、鈦或鉻； 所述下凹槽深度為10-50nm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海電力學院，其通訊地址為：200090 上海市楊浦區平涼路2103號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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