泰塞拉公司S·卡納卡薩巴帕蒂獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉泰塞拉公司申請的專利半導體結構與處理獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112786705B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110069312.8，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體結構與處理是由S·卡納卡薩巴帕蒂;F·L·李;G·卡爾威;徐順天;S·西格;何虹;D·劉;B·多里斯設計研發完成，并于2016-05-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構與處理在說明書摘要公布了：提供了一種半導體結構，所述半導體結構包含具有端壁15W并從襯底10向上延伸的半導體鰭部分14P。柵極結構16跨越所述半導體鰭部分14P的一部分。第一組柵極間隔物24P50P位于柵極結構16L16R的相對側壁表面上；并且第二組柵極間隔物32P位于所述第一組柵極間隔物24P50P的側壁上。所述第二組柵極間隔物32P的一個柵極間隔物具有直接接觸所述半導體鰭部分14P的所述端壁15W的下部。
本發明授權半導體結構與處理在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，包括： 半導體鰭部分，具有端壁并從襯底向上延伸； 柵極結構，跨越所述半導體鰭部分的一部分； 第一組柵極間隔物，位于所述柵極結構的相對的側壁表面上；以及 第二組柵極間隔物，位于所述第一組柵極間隔物的外側壁上，其中所述第二組柵極間隔物的一個柵極間隔物具有內側壁表面，所述內側壁表面具有上部，所述上部直接接觸所述第一組柵極間隔物中的一個柵極間隔物的外側壁， 其中，在所述第二組柵極間隔物中，所述第二組柵極間隔物的僅一個柵極間隔物具有下部，所述下部直接接觸并覆蓋所述半導體鰭部分的整個所述端壁，所述第二組柵極間隔物的另一個柵極間隔物跨越所述半導體鰭部分的另一部分。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人泰塞拉公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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