重慶云潼科技有限公司廖光朝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉重慶云潼科技有限公司申請的專利一種功率基板、功率模塊及功率基板的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120453249B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510967363.0，技術領域涉及：H01L23/373；該發明授權一種功率基板、功率模塊及功率基板的制備方法是由廖光朝;王友強;王炳琨;劉繼平設計研發完成，并于2025-07-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種功率基板、功率模塊及功率基板的制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種功率基板、功率模塊及功率基板的制備方法，應用于功率器件技術領域，第一金屬層位于絕緣層的底面并沿絕緣層的至少一個側面包覆至絕緣層頂面的第一區域，第二金屬層位于絕緣層頂面的第二區域，在絕緣層的頂面第一金屬層與第二金屬層相互隔離；絕緣層包括與待鍵合的功率芯片中襯底材質相同的主體層，主體層至少在頂面的第二區域設置有絕緣膜層，第二金屬層通過絕緣膜層與主體層隔離。通過在設置主體層與待鍵合的功率芯片中襯底材質相同，可以保證絕緣層與功率芯片的熱膨脹系數大體相同，使得絕緣層可以設置為一個平板。而通過設置包覆絕緣層的第一金屬層，其可以增加整個絕緣層的結構強度，保證功率基板滿足所需的結構性能。
本發明授權一種功率基板、功率模塊及功率基板的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種功率基板，其特征在于，包括：第一金屬層、絕緣層和第二金屬層； 所述絕緣層包括朝向功率芯片的頂面和遠離所述功率芯片的底面，所述第一金屬層位于所述絕緣層的底面并沿所述絕緣層的至少一個側面包覆至所述絕緣層頂面的第一區域，所述第二金屬層位于所述絕緣層頂面的第二區域，在所述絕緣層的頂面所述第一金屬層與所述第二金屬層相互隔離； 所述絕緣層包括與待鍵合的功率芯片中襯底材質相同的主體層，所述主體層至少在所述頂面的第二區域設置有絕緣膜層，所述第二金屬層通過所述絕緣膜層與所述主體層隔離。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人重慶云潼科技有限公司，其通訊地址為：400000 重慶市江北區魚嘴鎮永和路39號6層608室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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