上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司馮俊偉獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司申請的專利一種集成電路芯片的無源散熱器件的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN120432453B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202510926903.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L23/38;該發(fā)明授權(quán)一種集成電路芯片的無源散熱器件的制備方法是由馮俊偉;許貞設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2025-07-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種集成電路芯片的無源散熱器件的制備方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種集成電路芯片的無源散熱器件的制備方法,包括:提供襯底,在襯底中形成相鄰的P型層和N型層,P型層位于N型層的上方;在襯底中形成多個(gè)隔離槽,每個(gè)隔離槽貫穿P型層直至N型層中;在襯底的第一表面沉積隔離材料填充隔離槽,并進(jìn)行平坦化處理直至P型層表面;在P型層表面形成熱電轉(zhuǎn)換層;在熱電轉(zhuǎn)換層表面形成導(dǎo)熱層;在襯底的第二表面形成連接至N型層的接地引腳。本方法可用于制備一種無源散熱器件,該器件不依靠外部供能即可實(shí)現(xiàn)高效散熱,且能夠通過熱、電雙維度同時(shí)進(jìn)行散熱,散熱效果優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù);本制備同半導(dǎo)體現(xiàn)有工藝技術(shù)兼容性高,易于實(shí)現(xiàn)高效的芯片級散熱。
本發(fā)明授權(quán)一種集成電路芯片的無源散熱器件的制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種集成電路芯片的無源散熱器件的制備方法,其特征在于,包括: S1、提供襯底,在所述襯底中形成相鄰的P型層和N型層,所述P型層位于所述N型層的上方; S2、在所述襯底中形成多個(gè)隔離槽,每個(gè)所述隔離槽貫穿所述P型層直至所述N型層中; S3、在所述襯底的第一表面沉積隔離材料填充所述隔離槽,并進(jìn)行平坦化處理直至所述P型層表面; S4、在所述P型層表面形成熱電轉(zhuǎn)換層; S5、在所述熱電轉(zhuǎn)換層表面形成導(dǎo)熱層; S6、在所述襯底的第二表面形成連接至所述N型層的接地引腳。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司,其通訊地址為:201800 上海市嘉定區(qū)菊園新區(qū)勝竹路1399號2幢9層930室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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