華中科技大學唐江獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華中科技大學申請的專利一種Eu基稀土電致白光器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120417646B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510919811.X，技術領域涉及：H10K50/125；該發明授權一種Eu基稀土電致白光器件及其制備方法是由唐江;李京徽;吳興佑;羅家俊;高歌設計研發完成，并于2025-07-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種Eu基稀土電致白光器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于光電器件領域，公開了一種Eu基稀土電致白光器件及其制備方法，該Eu基稀土電致白光器件自上而下依次包括頂電極、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和底電極；其中，發光層是基于配體調控納米晶發光的體系，具體是以mCP材料、CsI材料和EuI2材料三者獨立的作為蒸發源，通過三源共蒸熱蒸發法沉積得到的；并且，發光層對應的CsI、EuI2、mCP三者的摩爾比為CsI：EuI2：mCP=0.020~0.080：0.025：0.5~2。本發明通過使用由mCP、CsI和EuI2這三個組分共同組成的三元共摻的CsEuI3@mCP的體系材料作為單基質發光層，利用配體調控納米晶的發光，相比于現有的單基質白光技術具有高亮度、高效率和高光譜質量的優勢。
本發明授權一種Eu基稀土電致白光器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種Eu基稀土電致白光器件，其特征在于，自上而下依次包括頂電極、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和底電極； 其中，所述發光層是基于配體調控納米晶發光的體系，具體是以mCP材料、CsI材料和EuI2材料三者獨立的作為蒸發源，通過三源共蒸熱蒸發法沉積得到的；并且，所述發光層對應的CsI、EuI2、mCP三者的摩爾比為CsI：EuI2：mCP=0.020~0.080：0.025：0.5~2。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華中科技大學，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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