深圳幀觀德芯科技有限公司劉雨潤獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳幀觀德芯科技有限公司申請的專利輻射檢測裝置及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113557449B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980093742.4，技術領域涉及：G01T3/08；該發明授權輻射檢測裝置及其制備方法是由劉雨潤;曹培炎設計研發完成，并于2019-03-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本輻射檢測裝置及其制備方法在說明書摘要公布了：本文公開了一種用于檢測輻射的裝置及其制備方法。該方法可以包括在半導體襯底102中形成凹部104，其中所述半導體襯底102的一部分107延伸到所述凹部104中并且被所述凹部104包圍；在所述凹部104中形成半導體單晶106，所述半導體單晶106具有與所述半導體襯底102不同的組成；在所述半導體襯底102中形成第一摻雜半導體區108；在所述半導體襯底102中形成第二摻雜半導體區109；其中所述第一摻雜半導體區108和所述第二摻雜半導體區109形成將所述部分107與所述半導體襯底102的其余部分分開的p?n結。
本發明授權輻射檢測裝置及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種方法，其包括： 在半導體襯底中形成凹部，其中所述半導體襯底的一部分延伸到所述凹部中并且被所述凹部包圍； 在所述凹部中形成半導體單晶，所述半導體單晶具有與所述半導體襯底不同的組成； 在所述半導體襯底中形成第一摻雜半導體區； 在所述半導體襯底中形成第二摻雜半導體區； 其中所述第一摻雜半導體區和所述第二摻雜半導體區形成將所述半導體襯底的所述部分與所述半導體襯底的其余部分分開的p-n結。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳幀觀德芯科技有限公司，其通訊地址為：518071 廣東省深圳市南山區桃源街道塘朗社區信宜五路13號塘朗工業B區集悅城眾創產業園52棟201；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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