長鑫存儲技術有限公司龍強獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利一種接觸插塞的測試結構及其形成方法、測試方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115985889B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111202890.0，技術領域涉及：H01L23/544；該發明授權一種接觸插塞的測試結構及其形成方法、測試方法是由龍強設計研發完成，并于2021-10-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種接觸插塞的測試結構及其形成方法、測試方法在說明書摘要公布了：本公開實施例公開了一種接觸插塞的測試結構，所述測試結構包括：襯底；設置于所述襯底上的多個有源區域；設置于所述襯底上的多個接觸插塞，同一所述有源區域上形成至少兩個接觸插塞，且所述接觸插塞的底部與所述有源區域電連接；多個連接件，每一所述連接件電連接分別位于不同有源區域上的所述接觸插塞，使得所述有源區域、所述接觸插塞和所述連接件形成串聯結構；位于所述襯底上的多個偽柵極，所述偽柵極至少位于所述接觸插塞的一側。本公開的測試結構與實際集成電路應用的結構更加接近，這樣的測試結構更加能夠反映接觸插塞的工藝情況，可以較準確的測試出接觸插塞的電阻值。
本發明授權一種接觸插塞的測試結構及其形成方法、測試方法在權利要求書中公布了：1.一種接觸插塞的測試結構，其特征在于，包括： 襯底； 設置于所述襯底上的多個有源區域； 設置于所述襯底上的多個接觸插塞，同一所述有源區域上形成至少兩個接觸插塞，且所述接觸插塞的底部與所述有源區域電連接； 多個連接件，每一所述連接件電連接分別位于不同有源區域上的所述接觸插塞，使得所述有源區域、所述接觸插塞和所述連接件形成串聯結構； 位于所述襯底上的多個偽柵極，所述偽柵極至少位于所述接觸插塞的一側； 至少一個所述接觸插塞的側壁具有凹陷部，所述接觸插塞的側壁在所述凹陷部處沿側向方向向內凹陷，且所述凹陷部位于所述接觸插塞的朝向相鄰的所述偽柵極的一側。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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