臺灣積體電路制造股份有限公司吳國暉獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114068581B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202110976116.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D84/90;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法是由吳國暉;莊惠中;陳志良;田麗鈞設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-08-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導(dǎo)體器件及其制造方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件,包括一個或多個有源半導(dǎo)體組件,其中,正面定義在半導(dǎo)體襯底上方,背面定義在半導(dǎo)體襯底下方。正面電源軌形成于所述半導(dǎo)體器件的正面,并且被配置為接收第一參考電源電壓。第一和第二背面電源軌形成于半導(dǎo)體襯底的背面,并且被配置為接收相應(yīng)的第二和第三參考電源電壓。第一,第二和第三參考電源電壓是不同的。本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體器件,包括: 半導(dǎo)體襯底,包括一個或多個有源半導(dǎo)體部件,其中,正面限定在所述半導(dǎo)體襯底上方并且背面限定在所述半導(dǎo)體襯底下方; 第一正面電源軌,位于所述半導(dǎo)體襯底的所述正面,所述第一正面電源軌被配置為接收第一參考電源電壓;以及 第一背面電源軌、第二背面電源軌、第三背面電源軌和第四背面電源軌,分別在所述半導(dǎo)體襯底的所述背面處沿第一方向延伸; 所述第一背面電源軌被配置為接收第二參考電源電壓; 所述第二背面電源軌被配置為接收第三參考電源電壓; 所述第三背面電源軌和所述第四背面電源軌中的每個被配置為接收所述第一參考電源電壓;以及 相對于所述第一方向,所述第二背面電源軌位于所述第三背面電源軌和所述第四背面電源軌之間; 其中,所述第一參考電源電壓、所述第二參考電源電壓和所述第三參考電源電壓彼此不同。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司,其通訊地址為:中國臺灣新竹;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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