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龍圖騰網(wǎng)獲悉力旺電子股份有限公司申請的專利非揮發(fā)性存儲器的存儲單元獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114512489B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202110930150.2，技術領域涉及：H10B41/35；該發(fā)明授權非揮發(fā)性存儲器的存儲單元是由賴宗沐;陳志欣;黎俊霄;林慶源設計研發(fā)完成，并于2021-08-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本非揮發(fā)性存儲器的存儲單元在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種非揮發(fā)性存儲器的存儲單元，包括：一N型區(qū)域、一N型阱區(qū)、一P型阱區(qū)、一第一p型摻雜區(qū)域、一第二p型摻雜區(qū)域與一第一n型摻雜區(qū)域。該N型阱區(qū)與該P型阱區(qū)形成于該N型區(qū)域中。該第一p型摻雜區(qū)域與該第二p型摻雜區(qū)域位于該N型阱區(qū)的表面。該柵極層位于該第一p型摻雜區(qū)域與一第二p型摻雜區(qū)域之間的該N型阱區(qū)表面上方。該第一n型摻雜區(qū)域位于該P型阱區(qū)的表面。該柵極層延伸至該P型阱區(qū)，并且該柵極層的一第一側相鄰于該第一n型摻雜區(qū)域。

本發(fā)明授權非揮發(fā)性存儲器的存儲單元在權利要求書中公布了：1.一種非揮發(fā)性存儲器的存儲單元，包括： N型區(qū)域； N型阱區(qū)與P型阱區(qū)，形成于該N型區(qū)域中； 第一p型摻雜區(qū)域與第二p型摻雜區(qū)域，位于該N型阱區(qū)的表面； 柵極層，位于該第一p型摻雜區(qū)域與第二p型摻雜區(qū)域之間的該N型阱區(qū)表面上方，且該柵極層自該N型阱區(qū)延伸至該P型阱區(qū)；以及 第一n型摻雜區(qū)域，位于該P型阱區(qū)的表面，且該第一n型摻雜區(qū)域相鄰于該柵極層的第一側； 其中，該柵極層、該N型阱區(qū)、該第一p型摻雜區(qū)域與該第二p型摻雜區(qū)域形成p型晶體管；該柵極層、該P型阱區(qū)、該第一n型摻雜區(qū)域形成晶體管電容，該晶體管電容與該p型晶體管與共用該柵極層；以及，該N型區(qū)域與該P型阱區(qū)形成二極管； 其中，該p型晶體管的第一漏源端連接至位線，該p型晶體管的第二漏源端連接至源極線，該P型阱區(qū)與該第一n型摻雜區(qū)域連接至字符線； 其中，該柵極層為浮動柵極層，且覆蓋該P型阱區(qū)的該柵極層包括p型柵極層與n型柵極層； 其中，該P型阱區(qū)的表面還包括第三p型摻雜區(qū)域；該柵極層延伸至該P型阱區(qū)，并且該柵極層的第二側相鄰于該第三p型摻雜區(qū)域；該柵極層的該第一側為該n型柵極層；且該柵極層的該第二側為該p型柵極層，該第三p型摻雜區(qū)域連接至該字符線。

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