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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利使用底部擊穿電流路徑的雪崩保護晶體管及其形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN113540243B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202110069074.0，技術領域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權使用底部擊穿電流路徑的雪崩保護晶體管及其形成方法是由蘇亮宇;蔡宏智;柳瑞興;雷明達;楊彰臺;夏德殷;鐘于彰;楊南盈設計研發(fā)完成，并于2021-01-19向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本使用底部擊穿電流路徑的雪崩保護晶體管及其形成方法在說明書摘要公布了：一種雪崩保護場效晶體管在半導體襯底內包括：主體半導體層及經(jīng)摻雜主體接觸區(qū)，具有第一導電類型的摻雜；以及源極區(qū)、漏極區(qū)，具有第二導電類型的摻雜。隱埋的第一導電類型阱可位于半導體襯底內。隱埋的第一導電類型阱位于漏極區(qū)之下，且在平面圖中與漏極區(qū)具有面積交疊，且在垂直方向上與漏極區(qū)間隔開，并且具有比主體半導體層高的第一導電類型的摻雜劑的原子濃度。場效晶體管的配置在雪崩擊穿期間誘導超過90％的碰撞電離電荷從源極區(qū)流動、穿過隱埋的第一導電類型阱、并撞擊在漏極區(qū)的底表面上。另提供一種形成半導體結構的方法。

本發(fā)明授權使用底部擊穿電流路徑的雪崩保護晶體管及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種場效晶體管，包括： 主體半導體層，位于半導體襯底中且具有第一導電類型的摻雜； 源極區(qū)與漏極區(qū)，形成在所述半導體襯底的上部部分中，具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型的摻雜，且通過溝道區(qū)在側向上間隔開； 經(jīng)摻雜主體接觸區(qū)，形成在所述半導體襯底的所述上部部分中，具有所述第一導電類型的摻雜，且與所述源極區(qū)間隔開； 隱埋的第一導電類型阱，位于所述半導體襯底內，位于所述漏極區(qū)之下且在平面圖中與所述漏極區(qū)具有面積交疊，在垂直方向上與所述漏極區(qū)間隔開，并且具有比所述主體半導體層高的所述第一導電類型的摻雜劑的原子濃度；以及 源極側第一導電類型阱，位于所述半導體襯底內，其中所述源極側第一導電類型阱直接接觸所述源極區(qū)以提供第一p-n結，所述第一p-n結的外圍完全位于所述半導體襯底的頂表面內，且所述源極側第一導電類型阱沿著從所述半導體襯底的所述頂表面延伸到所述隱埋的第一導電類型阱的頂表面的界面與所述主體半導體層直接接觸，且所述源極側第一導電類型阱具有比所述主體半導體層高的所述第一導電類型的摻雜劑的原子濃度， 其中位于柵極介電質之下的所述溝道區(qū)在側向上延伸穿過所述源極側第一導電類型阱的上部部分且穿過所述主體半導體層的上部部分。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。