中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司蘇博獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115997275B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080103614.6，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體結構及其形成方法是由蘇博;吳漢洙;鄭春生;鄭二虎;張海洋設計研發完成，并于2020-09-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有柵極結構，柵極結構側壁形成有偽側墻，偽側墻側壁形成有接觸孔刻蝕停止層，柵極結構兩側基底內形成有源漏摻雜區；在源漏摻雜區和柵極結構的頂部上方形成犧牲介質層；形成源漏插塞，貫穿源漏摻雜區頂部上方的犧牲介質層并與源漏摻雜區相接觸；刻蝕犧牲介質層直至露出偽側墻的頂部；露出偽側墻的頂部后，去除偽側墻，在接觸孔刻蝕停止層和柵極結構的側壁之間形成間隙；形成填充于源漏插塞之間的頂部介質層，頂部介質層還填充于間隙中，或者，頂部介質層密封間隙的頂部，頂部介質層的材料介電常數小于偽側墻的材料介電常數。本發明能夠降低柵極結構和源漏插塞之間的有效電容。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 基底； 柵極結構，位于所述基底上； 源漏摻雜區，位于所述柵極結構兩側的基底內； 源漏插塞，位于所述源漏摻雜區的頂部，且與所述源漏摻雜區相接觸； 接觸孔刻蝕停止層，位于所述源漏摻雜區和柵極結構之間的基底上且與所述柵極結構的側壁相對設置，所述接觸孔刻蝕停止層的頂部低于所述源漏插塞的頂部，所述接觸孔刻蝕停止層的側壁和柵極結構的側壁之間具有間隙； 頂部介質層，填充于所述源漏插塞之間，所述頂部介質層還填充于所述間隙中，位于所述間隙中的所述頂部介質層作為側墻，或者，所述頂部介質層密封所述間隙的頂部，圍成空氣隙，所述頂部介質層的材料為低k介電材料或超低k介電材料。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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