華為技術(shù)有限公司張魯奇獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利射頻芯片、信號(hào)收發(fā)機(jī)和通信設(shè)備獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114204247B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202010975335.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01Q1/22;該發(fā)明授權(quán)射頻芯片、信號(hào)收發(fā)機(jī)和通信設(shè)備是由張魯奇;李昆;唐先鋒;駱彥行設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2020-09-16向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本射頻芯片、信號(hào)收發(fā)機(jī)和通信設(shè)備在說(shuō)明書摘要公布了:本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N射頻芯片信號(hào)收發(fā)機(jī)和通信設(shè)備,該射頻芯片包括:芯片主體;耦合結(jié)構(gòu),包括:諧振體,形成有諧振腔,所述諧振腔的內(nèi)壁為金屬制;再分布層,配置在所述諧振腔上方,包括RDL介質(zhì)層;輻射體,為金屬制,形成為中心對(duì)稱形狀,配置在所述介質(zhì)層的朝向所述諧振體的表面,收容在所述諧振腔內(nèi);饋電線,一端與芯片主體連接,另一端插入所述諧振腔內(nèi);封裝結(jié)構(gòu),用于封裝所述芯片主體,并覆蓋所述再分布層,從而能夠使芯片主體產(chǎn)生的信號(hào)高效耦合至聚合物傳輸線中,由于上述結(jié)構(gòu)封裝在芯片內(nèi),能夠降低因配置芯片與耦合結(jié)構(gòu)之間的連線產(chǎn)生的插損,進(jìn)而提高耦合效率,并且,能夠提升芯片與耦合結(jié)構(gòu)的集成度,便于規(guī)模化加工。
本發(fā)明授權(quán)射頻芯片、信號(hào)收發(fā)機(jī)和通信設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了:1.一種射頻芯片,其特征在于,包括: 芯片主體200,用于生成電磁信號(hào)或處理電磁信號(hào); 耦合結(jié)構(gòu)100,包括: 諧振體110,形成有諧振腔112和槽114,所述諧振腔112的內(nèi)壁為金屬制,所述諧振腔112的一端在所述諧振體110的頂面1102開口,所述諧振腔的另一端由金屬材料封閉,所述諧振腔112的截面形成為中心對(duì)稱形狀,所述槽114連通所述諧振體110的外壁與所述諧振腔112的內(nèi)壁; 再分布層RDL120,配置在所述頂面1102上方,包括RDL介質(zhì)層124; 輻射體130,為金屬制,形成為中心對(duì)稱形狀,配置在所述RDL介質(zhì)層124的朝向所述諧振體110的表面,收容在所述諧振腔112內(nèi); 饋電線140,收容在所述槽114內(nèi),一端與所述芯片主體200連接,另一端插入所述諧振腔112內(nèi); 封裝結(jié)構(gòu)300,用于封裝所述芯片主體200,并覆蓋所述再分布層RDL120,其中,封裝結(jié)構(gòu)300上形成有用于收容金屬連接器的通孔310,其中,所述金屬連接器的一端與所述再分布層RDL120的背向所述諧振體110的表面抵接,所述金屬連接器的另一端用于連接聚合物傳輸線纜,所述通孔310的截面形成為中心對(duì)稱形狀; 其中,所述輻射體130的對(duì)稱中心、所述諧振腔112的對(duì)稱中心、通孔310的對(duì)稱中心同軸配置,且所述通孔310與所述諧振腔112之間的截面尺寸的偏差在第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人華為技術(shù)有限公司,其通訊地址為:518129 廣東省深圳市龍崗區(qū)坂田華為總部辦公樓;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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