重慶萬國半導體科技有限公司張嘉鑫獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉重慶萬國半導體科技有限公司申請的專利一種分離柵超結IGBT器件獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223928702U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2026-02-17發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202520217925.5，技術領域涉及：H10D62/10；該實用新型一種分離柵超結IGBT器件是由張嘉鑫;胡瑋;唐宇設計研發完成，并于2025-02-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種分離柵超結IGBT器件在說明書摘要公布了：本實用新型公開了一種分離柵超結IGBT器件，包括第一P+層和設置在第一P+層上的外延層，所述外延層的上部通過注入形成有P型基區，所述P型基區的下方沿第一方向周期性設置有P柱和N柱，所述P柱和N柱的上端均與P型基區相連；所述N柱的上方設置有分離柵結構，在相鄰兩個分離柵結構之間，在所述P型基區上依次注入形成有N型基區和第二P+區；所述第一P+層的下端設置有背面金屬，所述分離柵結構和第二P+區上端設置有發射極金屬。本實用新型中，可以在器件關斷時形成額外的空穴抽取通道，加快電流關斷，降低關斷損耗；還可以降低米勒電容，減少開關損耗。
本實用新型一種分離柵超結IGBT器件在權利要求書中公布了：1.一種分離柵超結IGBT器件，其特征在于：包括第一P+層和設置在第一P+層上的外延層，所述外延層的上部通過注入形成有P型基區，所述P型基區的下方沿第一方向周期性設置有P柱和N柱，所述P柱和N柱的上端均與P型基區相連；所述N柱的上方設置有分離柵結構，在相鄰兩個分離柵結構之間，在所述P型基區上依次注入形成有N型基區和第二P+區；所述第一P+層的下端設置有背面金屬，所述分離柵結構和第二P+區上端設置有發射極金屬。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人重慶萬國半導體科技有限公司，其通訊地址為：400713 重慶市北碚區悅復大道288號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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