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龍圖騰網獲悉合肥工業大學申請的專利用于高壓集成電路的低EMI時鐘產生電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115085695B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210908108.5，技術領域涉及：H03K3/013；該發明授權用于高壓集成電路的低EMI時鐘產生電路是由陳珍海;何曉雄設計研發完成，并于2022-07-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于高壓集成電路的低EMI時鐘產生電路在說明書摘要公布了：本發明涉及一種用于高壓集成電路的低EMI時鐘產生電路，包括偽隨機調制電源產生電路和時鐘產生及耦合輸出電路。本發明提供的低EMI時鐘產生電路方案中，一方面時鐘產生電路采用的振蕩器電源電壓VCC_OSC只受基準信號控制，不受PVT波動影響，保證了參考時鐘信號OSC_out的頻率穩定性；另一方面，在偽隨機調制電源產生電路內部采用幅度和時間上均具有偽隨機特性的偽隨機碼對振蕩器電源電壓進行調制，從而使得參考時鐘信號OSC_out的頻率具有隨機抖頻特性，從而實現降低EMI干擾的目標。本發明實施方案可廣泛應用于各類高壓集成電路系統中。

本發明授權用于高壓集成電路的低EMI時鐘產生電路在權利要求書中公布了：1.用于高壓集成電路的低EMI時鐘產生電路，其特征是，包括抖頻相對幅度控制電路（10）、抖頻參考電壓產生電路（11）、誤差放大及緩沖電路（12）和時鐘產生及耦合輸出電路（13），所述抖頻相對幅度控制電路（10）的輸入端連接外部輸入的抖頻幅度控制信號Set和抖頻參考電壓產生電路（11）反饋的抖頻控制時鐘ck_dith，輸出抖頻相對幅度選擇信號Sel給抖頻參考電壓產生電路（11）；抖頻參考電壓產生電路（11）根據抖頻相對幅度控制電路（10）產生的抖頻相對幅度選擇信號Sel，得到抖頻參考電壓Vrdith，輸出給誤差放大及緩沖電路（12）；誤差放大及緩沖電路（12）的輸入端連接抖頻參考電壓Vrdith和時鐘產生及耦合輸出電路（13）輸出的反饋時鐘CK_fb，產生振蕩器電源電壓VCC_OSC輸出給時鐘產生及耦合輸出電路（13）；時鐘產生及耦合輸出電路（13）根據振蕩器電源電壓VCC_OSC產生X路輸出時鐘CK1~CKX和反饋時鐘CK_fb； 所述抖頻參考電壓產生電路（11）包括：依次串聯的Y+N個分壓電阻串、Y+N個NMOS管、編碼轉換電路（31）和偽隨機碼產生電路（32），Y=2J，J為任意正整數；N=2K，K為任意正整數；前Y個電阻串聯組成抖頻相對幅度調整電阻串，后N個電阻串聯組成抖頻絕對幅度調整電阻串；前Y個電阻的上端連接到參考電壓Vref；前Y個電阻和后N個電阻的連接點產生抖頻參考電壓Vrdith；后N個電阻的下端連接地電壓GND；Y個NMOS管M311~M31Y的漏極和源極分別對應連接前Y個電阻的上端和下端，N個NMOS管M331~M33N的漏極和源極分別對應連接后N個電阻的上端和下端；編碼轉換電路（31）的輸入端連接到抖頻相對幅度選擇信號Sel，編碼轉換電路（31）的輸出端分別為Y位選擇碼S1~SY，分別連接到Y個NMOS管M311~M31Y的柵極；偽隨機碼產生電路（32）的輸出端分別為N位偽隨機碼P1~PN以及抖頻控制時鐘ck_dith，N位偽隨機碼P1~PN分別連接到N個NMOS管M331~M33N的柵極； 所述抖頻參考電壓產生電路（11）中產生的抖頻參考電壓Vrdith由所述抖頻相對幅度調整電阻串的總電阻Rs31和所述抖頻絕對幅度調整電阻串的總電阻Rs33分壓得到；所述抖頻參考電壓Vrdith一方面具有偽隨機特性，另一方面其相對參考電壓的相對幅度還受抖頻相對幅度選擇信號Sel控制；所述抖頻絕對幅度調整電阻串中任意兩個電阻的阻值均不相同，且N個電阻中任意兩個電阻之間的比值均不相同，實現抖頻參考電壓Vrdith幅度的隨機特性；所述偽隨機碼產生電路（32）產生的N位偽隨機碼P1~PN，任意時刻只有1位偽隨機碼輸出高電平，其余N-1位均為低電平；并且N位偽隨機碼P1~PN中任意1位偽隨機碼輸出高電平的時間長度均不相同，實現抖頻參考電壓Vrdith時間上的隨機特性。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥工業大學，其通訊地址為：230009 安徽省合肥市屯溪路193號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。