中國科學院金屬研究所張峰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院金屬研究所申請的專利一種快速可控制備超細金屬納米晶/納米碳復合薄膜的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117568759B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311292962.4，技術領域涉及：C23C14/35；該發明授權一種快速可控制備超細金屬納米晶/納米碳復合薄膜的方法是由張峰;李康;劉暢;何桂枝;成會明設計研發完成，并于2023-10-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種快速可控制備超細金屬納米晶/納米碳復合薄膜的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及納米材料的可控制備領域，具體為一種快速可控制備超細金屬納米晶納米碳復合薄膜的方法。采用離子束濺射或磁控濺射等物理沉積方法在納米碳薄膜上擔載金屬納米顆粒，在正壓高于標準大氣壓0.01～0.2MPa、含微量氧氣氧氣體積分數0.001％～0.2％的惰性氣氛中快速加熱及冷卻升降溫速率為100～300℃s，使金屬納米顆粒形成具有特定取向的納米晶，獲得超細直徑＜3nm金屬納米晶純度＞95％單分散于納米碳的復合薄膜上。通過調控沉積條件和快速加熱的升降溫速率，調節金屬納米顆粒的分散度和尺寸，獲得直徑和分散度可調的金屬納米晶。特別在單壁碳納米管薄膜上，以管束誘導可使納米晶形成大長徑比的金屬納米晶。
本發明授權一種快速可控制備超細金屬納米晶/納米碳復合薄膜的方法在權利要求書中公布了：1.一種快速可控制備超細金屬納米晶納米碳復合薄膜的方法，其特征在于，以物理沉積方法的離子束濺射或磁控濺射在納米碳薄膜上沉積金屬納米顆粒，對其在高于標準大氣壓0.01~0.2MPa正壓、氧氣體積分數0.001%~0.2%含微量氧氣的惰性氣氛中快速加熱及冷卻，升降溫速率為100~300℃s，使金屬納米顆粒形成高純度、超細、表面潔凈的納米晶，獲得金屬納米晶單分散于納米碳薄膜的復合薄膜；通過調控物理沉積條件，獲得密度和尺寸可調的金屬納米顆粒，使納米晶的尺寸和分散度在一定范圍內可調，濺射功率為1~50W，沉積時間為10~500s，快速加熱溫度為700~2200℃，制備尺寸在2~10nm范圍內可調的單分散金屬納米晶，且納米晶純度高于95%。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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