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龍圖騰網獲悉哈爾濱工業大學申請的專利一種高含量微氧化-電鍍鎳包覆碳化硅顆粒增強鋁基復合涂層的冷噴涂方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117305828B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311283664.9，技術領域涉及：C23C24/04；該發明授權一種高含量微氧化-電鍍鎳包覆碳化硅顆粒增強鋁基復合涂層的冷噴涂方法是由鞏春志;梁討丁;田修波;周長壯;郝子碩;張麗霞設計研發完成，并于2023-10-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高含量微氧化-電鍍鎳包覆碳化硅顆粒增強鋁基復合涂層的冷噴涂方法在說明書摘要公布了：一種高含量微氧化?電鍍鎳包覆碳化硅顆粒增強鋁基復合涂層的冷噴涂方法，涉及一種鋁基復合涂層的冷噴涂方法。冷噴涂方法：在大氣條件下對碳化硅顆粒微氧化處理，在表面電鍍鎳層，和鋁粉末進行低能球磨，最后進行冷噴涂。本發明通過高溫氧化和電鍍技術，在碳化硅粉顆粒表面鍍鎳，獲得內核為增強相碳化硅顆粒和殼為延展性金屬鎳組成的核殼結構粉末，避免了增強相碳化硅和基體金屬鋁結合差以及碳化硅顆粒碰撞碎裂引起的組織缺陷，提高了沉積速率，可以避免有害的微觀結構變化或氧化，減少熱效應，提高顆粒?顆粒和顆粒?基體的結合強度、涂層內部的組織均勻性和減少碳化硅碎裂帶來的組織缺陷，具有優異抗氧化性能、防腐性能和耐磨損性能。

本發明授權一種高含量微氧化-電鍍鎳包覆碳化硅顆粒增強鋁基復合涂層的冷噴涂方法在權利要求書中公布了：1.一種高含量微氧化-電鍍鎳包覆碳化硅顆粒增強鋁基復合涂層的冷噴涂方法，其特征在于：高含量微氧化-電鍍鎳包覆碳化硅顆粒增強鋁基復合涂層的冷噴涂方法按以下步驟進行： 步驟一、在大氣條件下，采用馬弗爐對碳化硅顆粒進行微氧化處理，碳化硅顆粒表面原位生長出納米無定形二氧化硅層，得到納米二氧化硅包覆的碳化硅顆粒； 所述微氧化處理包括以下步驟：首先用無水乙醇對碳化硅顆進行超聲清洗20-30分鐘，后用去離子水超聲清洗10-15分鐘，最后進行干燥處理；將清洗后的碳化硅顆粒平鋪在坩堝上，并放入馬弗爐中，馬弗爐升溫至1100-1200℃后保溫4-6小時，每間隔0.5-1小時向馬弗爐內補充空氣，最后隨爐冷卻； 步驟二、采用電鍍在納米二氧化硅包覆的碳化硅顆粒表面電鍍鎳層，獲得微氧化-電鍍鎳包覆碳化硅顆粒； 步驟三、利用球磨機將微氧化-電鍍鎳包覆碳化硅顆粒和鋁粉末進行低能球磨，使微氧化-電鍍鎳包覆碳化硅顆粒均勻分布在鋁粉末中，得到混合粉末； 所述鋁粉末和微氧化-電鍍鎳包覆碳化硅顆粒的質量比為1-2:3； 所述低能球磨的工藝為：將鋁粉末和微氧化-電鍍鎳包覆碳化硅顆粒進行混合后裝入球磨罐；將球磨罐抽真空，然后通入氬氣，球磨過程為干磨，球料比為3-4:1，球磨轉速為150-200rmin，球磨2-4h，球磨罐單向旋轉，每球磨0.5-1h停轉5-10min，得到混合粉末； 步驟四、采用冷噴涂將步驟三獲得的混合粉末噴涂在基材上，獲得高含量微氧化-電鍍鎳包覆碳化硅顆粒增強鋁基復合涂層； 所述冷噴涂工藝為：對噴涂基材用無水乙醇進行超聲清洗5-60min，取出后烘干，再對待噴涂表面進行噴砂處理，處理完后用氣槍清理待噴涂表面；將步驟三中獲得的混合粉末裝入送粉器中，將基材固定后使用噴槍進行冷噴涂，采用氬氣作為送粉氣，冷噴涂軌跡為S形，噴涂軌跡行間距為2-3mm，噴涂束流與待噴涂表面呈90°，行槍速度為150-200mms，槍口與待噴涂表面垂直距離為30-35mm，腔室氣壓為3.5-4MPa，腔室氣體溫度為550-600℃，根據需要的涂層厚度噴涂數次； 步驟四獲得的高含量微氧化-電鍍鎳包覆碳化硅顆粒增強鋁基復合涂層中Ni的質量分數為2.46-5.77％。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人哈爾濱工業大學，其通訊地址為：150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區西大直街92號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。