中國科學院寧波材料技術與工程研究所滿其奎獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院寧波材料技術與工程研究所申請的專利一種單晶/多晶兩相結構的鈰摻雜氧化錫吸波材料及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116234285B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310246507.4，技術領域涉及：H05K9/00；該發明授權一種單晶/多晶兩相結構的鈰摻雜氧化錫吸波材料及其制備方法是由滿其奎;王璇;譚果果;雷鎮匡設計研發完成，并于2023-03-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種單晶/多晶兩相結構的鈰摻雜氧化錫吸波材料及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種單晶多晶兩相結構的鈰摻雜氧化錫吸波材料及其制備方法，屬于電磁波吸收材料技術領域，該吸波材料包括SnO2單晶柱和Ce?SnO2多晶納米顆粒，Ce?SnO2多晶納米顆粒與SnO2單晶柱之間形成異質結結構，采用如下方法制備得到：將鈰源和錫源混合攪拌，滴加氨水使pH為7～9，形成沉淀后靜置，洗滌后干燥；進一步研磨，在空氣氣氛下煅燒，冷卻后得到所述的單晶多晶兩相結構的鈰摻雜氧化錫吸波材料。所述的單晶多晶兩相結構的鈰摻雜氧化錫吸波材料主要依靠優化的阻抗匹配、增強的界面極化和多重反射等來衰減吸收電磁波，在吸波領域具有良好的應用前景。
本發明授權一種單晶/多晶兩相結構的鈰摻雜氧化錫吸波材料及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種單晶多晶兩相結構的鈰摻雜氧化錫吸波材料，其特征在于，包括SnO2單晶柱和Ce-SnO2多晶納米顆粒，Ce-SnO2多晶納米顆粒與SnO2單晶柱之間形成異質結結構。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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