上海芯存天下電子科技有限公司王文靜獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海芯存天下電子科技有限公司申請的專利Nor flash的驗證方法、裝置、設備及存儲介質獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116343887B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202310242999.X,技術領域涉及:G11C29/12;該發明授權Nor flash的驗證方法、裝置、設備及存儲介質是由王文靜;李佳澤;林杉設計研發完成,并于2023-03-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本Nor flash的驗證方法、裝置、設備及存儲介質在說明書摘要公布了:本發明涉及存儲芯片技術領域,具體公開了一種Norflash的驗證方法、裝置、設備及存儲介質,其中,驗證方法包括步驟:根據Norflash的存儲陣列構建簡易存儲模型,簡易存儲模型基于局部位線組和全部字線所對應的存儲單元構成,局部位線組僅包括每條字線上第2i個字節及末位字節對應所在的位線;利用簡易存儲模型對待測設計進行功能驗證;該驗證方法僅保留對存儲陣列中邊緣部分及符合增長規律的地址所對應的存儲單元進行驗證項仿真,確保驗證過程覆蓋了驗證所需的檢查點的同時,在有限的時間內完成更多項的功能驗證,極大地提高了驗證效率。
本發明授權Nor flash的驗證方法、裝置、設備及存儲介質在權利要求書中公布了:1.一種Norflash的驗證方法,用于對Norflash進行仿真以對待測設計進行功能驗證,其特征在于,所述方法包括以下步驟: 根據所述Norflash的存儲陣列構建簡易存儲模型,所述簡易存儲模型基于局部位線組和全部字線所對應的存儲單元構成,所述局部位線組僅包括每條字線上第2i個字節及末位字節對應所在的位線,i=0,1,…,n,其中,n為大于1的整數; 利用所述簡易存儲模型對所述待測設計進行功能驗證; 所述利用所述簡易存儲模型對所述待測設計進行功能驗證的步驟包括: 基于預設的測試激勵對參考模型進行仿真生成第一測試結果,及基于所述測試激勵利用所述簡易存儲模型對所述待測設計進行仿真生成第二測試結果; 比對所述第一測試結果和所述第二測試結果生成驗證結果。
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