昆明理工大學左勇剛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉昆明理工大學申請的專利一種過渡金屬硫化物納米帶及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117448948B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310210601.4，技術領域涉及：C30B25/00；該發明授權一種過渡金屬硫化物納米帶及其制備方法是由左勇剛;薛國棟;劉開輝;張利波;付立康;張耕偉;林國設計研發完成，并于2023-03-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種過渡金屬硫化物納米帶及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種過渡金屬硫化物納米帶及其制備方法，所述制備方法包括如下步驟：將預備好的基底均勻涂一層過渡金屬源后反扣于另一片干凈的基底晶片上，二者構建出間距在微米量級的局域空間置于管式爐中。在高溫下，上層的過渡金屬源揮發擴散至下層襯底，并與通入的硫源發生反應，在下層基底上得到一維過渡金屬硫化物納米帶。相比常規其他方法，該方法具有流程短，工藝簡單，無催化劑，普適性強等特點，可用于制備多種過渡金屬硫族化合物TMDC納米帶，為一維納米材料的制備提供了一種新思路。
本發明授權一種過渡金屬硫化物納米帶及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種過渡金屬硫化物納米帶的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟： （一）將過渡金屬源形成于基底的第一表面上； （二）將上述基底反扣于干凈襯底上一起放于耐高溫板上形成層疊體，并將所述層疊體置于管式爐中，所述層疊體從上至下依次包括：基底、襯底和耐高溫板；其中，所述基底的第一表面與干凈襯底相對設置，且基底與干凈襯底之間形成間隙，所述間隙高度在50nm-10μm；在所述管式爐中放置硫族元素供應源； （三）在常壓或低壓下通入保護性氣體并升溫，所述保護性氣體依次流過所述硫族元素供應源和所述層疊體，控制升溫速率在5-100°Cmin升溫至預定溫度，然后保溫生長40min以下；其中，所述預定溫度范圍為500-1000°C； （四）生長結束后，關閉加熱電源，維持所述保護性氣體流量不變，冷卻至室溫，得到過渡金屬硫化物納米帶。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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