新唐科技日本株式會社西尾明彥獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉新唐科技日本株式會社申請的專利功率放大用半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118843944B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202380026972.5，技術領域涉及：H10D30/87；該發明授權功率放大用半導體裝置是由西尾明彥;土居寬之設計研發完成，并于2023-02-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本功率放大用半導體裝置在說明書摘要公布了：高頻放大用半導體裝置100具備襯底101，襯底101上的第1氮化物半導體層103、二維電子氣層105及第2氮化物半導體層104、以及在第2氮化物半導體層104的上方相互隔開間隔設置的源極電極301、漏極電極302及柵極電極401，在平面觀察中，在存在二維電子氣層105的有源區域701中，具有電阻體601和設在第2氮化物半導體層104的上方的電阻體601，在平面觀察中，在非有源區域704中，具有與漏極電極302或柵極電極401連接的漏極端子803及柵極端子804、以及電阻體601所連接的第1電阻端子805及第2電阻端子806。
本發明授權功率放大用半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種功率放大用半導體裝置，其特征在于， 具備： 襯底； 第1氮化物半導體層，設在上述襯底上； 第2氮化物半導體層，設在上述第1氮化物半導體層上，帶隙比上述第1氮化物半導體層大； 二維電子氣層，設在上述第1氮化物半導體層與上述第2氮化物半導體層之間的界面的上述第1氮化物半導體層側； 源極電極及漏極電極，在上述第1氮化物半導體層的上方隔開間隔設置，分別與上述二維電子氣層電連接； 柵極電極，與上述源極電極及上述漏極電極隔開間隔設置，與上述第2氮化物半導體層接觸；以及 場板，電位與上述源極電極相同，在上述柵極電極與上述漏極電極之間具有上述漏極電極側的端部； 在上述襯底的平面觀察中，上述襯底被劃分為存在上述二維電子氣層的有源區域和不存在上述二維電子氣層的非有源區域； 在上述有源區域中，具有： 高電子遷移率晶體管，包含上述源極電極、上述漏極電極及上述柵極電極；以及 溫度檢測用的電阻體，設在上述第2氮化物半導體層的上方； 在上述非有源區域中，具有： 第1端子焊盤，與上述漏極電極或上述柵極電極連接；以及 第2端子焊盤，與上述電阻體連接。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人新唐科技日本株式會社，其通訊地址為：日本；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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