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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京科技大學(xué)申請的專利一種殘余應(yīng)力梯度的無損測量方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116105904B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310016372.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01L1/25；該發(fā)明授權(quán)一種殘余應(yīng)力梯度的無損測量方法是由李時磊;王沿東;王勝杰;劉亞博;王友康設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-01-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種殘余應(yīng)力梯度的無損測量方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種殘余應(yīng)力梯度的無損測量方法。其實驗平臺主要包括一臺能量不低于15keV的直通光X射線源、一臺面探測器和一臺樣品加載裝置，整體采用透射幾何模式。在未加載狀態(tài)下，使入射X射線從試樣一側(cè)掃描至另一側(cè)，獲得樣品不同層內(nèi)X、Y方向上晶面{hkl}的晶面間距d值。試樣不同層處{hkl}晶面在無應(yīng)力狀態(tài)下的晶面間距d0值則根據(jù)樣品在彈性變形階段不同應(yīng)力狀態(tài)下d?sin2ψ關(guān)系的交點確定。根據(jù)胡克定律，最終計算出材料在不同層處X、Y方向上的殘余應(yīng)力梯度。該發(fā)明可以快速實現(xiàn)材料內(nèi)部兩個方向上的殘余應(yīng)力梯度的無損測量，準確評價材料內(nèi)部殘余應(yīng)力的變化情況，有助于完善材料的設(shè)計和強化工藝，最終提高材料構(gòu)件的服役壽命。

本發(fā)明授權(quán)一種殘余應(yīng)力梯度的無損測量方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種材料殘余應(yīng)力梯度的無損測量方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、實驗平臺搭建：包括一臺直通光X射線源、一臺面探測器和一臺樣品加載裝置； S2、試樣準備：將具有殘余應(yīng)力梯度的材料加工成與樣品加載裝置相匹配的拉伸試樣； S3、殘余應(yīng)力梯度測量：在未加載狀態(tài)下，使入射X射線從拉伸試樣的一側(cè)掃描至另一側(cè)，獲得樣品不同層內(nèi)X、Y方向上晶面{hkl}的晶面間距d值； S4、材料不同層處無應(yīng)力狀態(tài)下{hkl}晶面間距d0值獲得：利用樣品加載裝置對拉伸試樣進行逐步加載，獲得材料不同層處{hkl}晶面在不同應(yīng)力狀態(tài)下d-sin2ψ關(guān)系，其交點值作為該層處{hkl}晶面無應(yīng)力狀態(tài)下的d0值，其中ψ為衍射矢量方向與樣品表面法向之間的夾角； S5、殘余應(yīng)力梯度計算：通過下式計算試樣不同層處X、Y方向上{hkl}晶面的晶格應(yīng)變ε： 擬合試樣不同層處的彈性模量E，根據(jù)胡克定律，計算試樣不同層處X、Y方向上的殘余應(yīng)力σ：σ＝E·ε； 材料不同層處無應(yīng)力狀態(tài)下{hkl}晶面間距d0值獲得時，需對拉伸試樣在彈性變形階段進行逐步加載，且每次加載后，使入射X射線沿拉伸試樣殘余應(yīng)力梯度方向進行掃描； 在梯度材料不同層處采用不同的d0值和E值。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人北京科技大學(xué)，其通訊地址為：100083 北京市海淀區(qū)學(xué)院路30號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。