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龍圖騰網獲悉天通凱巨科技有限公司申請的專利一種超薄鉭酸鋰晶片的保護膜及脫膜方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116072518B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211718730.6，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權一種超薄鉭酸鋰晶片的保護膜及脫膜方法是由孔輝;徐秋峰;張忠偉;錢煜;沈浩;濮思麒;曹煥設計研發完成，并于2022-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種超薄鉭酸鋰晶片的保護膜及脫膜方法在說明書摘要公布了：一種超薄鉭酸鋰晶片的保護膜及脫膜方法，包括如下步驟：將鉭酸鋰晶片進行堿性清洗溶液超聲清洗；將鉭酸鋰晶片用甩干機甩干；將保護膜均勻涂覆于鉭酸鋰晶片正面并固化；將鉭酸鋰晶片進行噴砂處理；將鉭酸鋰晶片放入脫膜劑溶液中加熱超聲清洗進行脫膜，最終得到表面無殘膠的鉭酸鋰晶片。本發明通過工藝改進，有效解決了傳統工藝撕膜后晶片表面留有殘膠的問題，同時提高了生產效率，降低了生產成本，保證了生產良率。

本發明授權一種超薄鉭酸鋰晶片的保護膜及脫膜方法在權利要求書中公布了：1.一種超薄鉭酸鋰晶片的保護膜及脫膜方法，其特征在于，包括下列具體步驟： a將鉭酸鋰晶片放入45～55℃的堿性清洗溶液中超聲清洗10～25min，清洗晶片表面顆粒沾污和有機物沾污，然后將晶片放入純水槽中沖洗去除晶片表面清洗液殘留； b將步驟a處理后的鉭酸鋰晶片放入甩干機中甩干，晶片甩干轉速為300～1000rpm，甩干時間3～8min，獲得表面干燥無水痕的晶片； c將步驟b處理后的鉭酸鋰晶片放在絲網印刷臺上，將各成份質量比為聚酯35～50%，單體混合物10～20%，丙烯酸15～25%，稀釋劑15～25%的稠狀液體晶片保護膜通過絲網印刷方法均勻涂覆于待處理鉭酸鋰晶片的正面，絲網印刷網版為100～200目，然后將涂完保護膜的鉭酸鋰晶片放在紫外光燈下照射1～5min等待晶片表面晶片保護膜固化，紫外光燈照度為600～2000mwcm2； d將步驟c處理后的鉭酸鋰晶片正面吸附在噴砂機真空平臺上進行噴砂處理，噴砂溫度為70～80℃； e將步驟d處理后的鉭酸鋰晶片放入70～85℃的脫膜劑清洗溶液中超聲浸泡10～30min進行脫膜處理，然后將晶片放入純水槽中沖洗去除晶片表面脫膜劑殘留，最后將晶片甩干后得到表面無殘膠的鉭酸鋰晶片。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天通凱巨科技有限公司，其通訊地址為：221000 江蘇省徐州市楊山路98號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。