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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安電子科技大學(xué)申請(qǐng)的專利一種基于HSPICE和weibull函數(shù)的SRAM單粒子加固電路仿真方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116167308B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202211595320.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/33；該發(fā)明授權(quán)一種基于HSPICE和weibull函數(shù)的SRAM單粒子加固電路仿真方法是由劉紅俠;劉長(zhǎng)俊;王樹龍;陳樹鵬設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-12-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種基于HSPICE和weibull函數(shù)的SRAM單粒子加固電路仿真方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種基于HSPICE和weibull函數(shù)的SRAM單粒子加固電路仿真方法，包括：構(gòu)建SRAM加固單元的讀寫仿真電路結(jié)構(gòu)，讀寫仿真電路結(jié)構(gòu)包括SRAM加固單元以及兩個(gè)三態(tài)門，其中，兩個(gè)三態(tài)門的輸出端對(duì)應(yīng)連接SRAM加固單元的第一位線和第二位線，SRAM加固單元的字線輸入外部字線控制電壓；通過控制三態(tài)門的輸出以及外部字線控制電壓，對(duì)SRAM加固單元進(jìn)行讀操作和寫操作仿真驗(yàn)證；獲取weibull函數(shù)電流源，根據(jù)weibull函數(shù)電流源以及讀寫仿真電路結(jié)構(gòu)，對(duì)SRAM加固單元的進(jìn)行單粒子效應(yīng)仿真；其中，利用weibull函數(shù)對(duì)單粒子效應(yīng)數(shù)據(jù)擬合得到weibull函數(shù)電流源。本發(fā)明能夠有效且快速地對(duì)SRAM電路加固單元進(jìn)行功能和性能評(píng)估。

本發(fā)明授權(quán)一種基于HSPICE和weibull函數(shù)的SRAM單粒子加固電路仿真方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于HSPICE和weibull函數(shù)的SRAM單粒子加固電路仿真方法，其特征在于，包括： 步驟1：構(gòu)建SRAM加固單元的讀寫仿真電路結(jié)構(gòu)，所述讀寫仿真電路結(jié)構(gòu)包括SRAM加固單元以及兩個(gè)三態(tài)門，其中，所述兩個(gè)三態(tài)門的輸出端對(duì)應(yīng)連接所述SRAM加固單元的第一位線和第二位線，所述SRAM加固單元的字線輸入外部字線控制電壓； 步驟2：通過控制所述三態(tài)門的輸出以及所述外部字線控制電壓，對(duì)所述SRAM加固單元進(jìn)行讀操作和寫操作仿真驗(yàn)證；所述步驟2包括： 步驟2.1：通過控制所述三態(tài)門的輸出以及所述外部字線控制電壓，對(duì)所述SRAM加固單元進(jìn)行寫操作仿真驗(yàn)證，包括： 控制所述外部字線控制電壓將所述字線置為高電平，控制所述三態(tài)門的輸出將所述第一位線和所述第二位線置為高低相反的兩個(gè)電平，觀測(cè)所述SRAM加固單元的第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電位變化，根據(jù)觀測(cè)結(jié)果判斷寫操作是否成功； 步驟2.2：通過控制所述三態(tài)門的輸出以及所述外部字線控制電壓，對(duì)所述SRAM加固單元進(jìn)行讀操作仿真驗(yàn)證，包括： 控制所述三態(tài)門的輸出將所述第一位線和所述第二位線均置為高電平后控制兩個(gè)三態(tài)門的輸出均為高阻態(tài)控制信號(hào)，控制所述外部字線控制電壓將所述字線置為高電平，觀測(cè)所述第一位線和所述第二位線的電位變化，根據(jù)觀測(cè)結(jié)果判斷讀操作是否成功； 步驟3：獲取weibull函數(shù)電流源，根據(jù)所述weibull函數(shù)電流源以及所述讀寫仿真電路結(jié)構(gòu)，對(duì)SRAM加固單元的進(jìn)行單粒子效應(yīng)仿真； 其中，利用weibull函數(shù)對(duì)單粒子效應(yīng)數(shù)據(jù)擬合得到所述weibull函數(shù)電流源； 在所述步驟3中，獲取weibull函數(shù)電流源，包括： 實(shí)驗(yàn)仿真得到的所述單粒子效應(yīng)數(shù)據(jù)； 對(duì)所述單粒子效應(yīng)數(shù)據(jù)進(jìn)行weibull函數(shù)擬合，得到所述weibull函數(shù)電流源，所述weibull函數(shù)電流源的擬合公式表示為： ； 其中，t表示時(shí)間變量，a表示第一擬合參數(shù)，b表示第二擬合參數(shù)、c表示第三擬合參數(shù)，其中， ； 式中，AP表示脈沖電流在0-tp時(shí)間內(nèi)的積分，tp表示脈沖電流的峰值對(duì)應(yīng)的時(shí)間，A表示電流脈沖與時(shí)間的積分，H表示脈沖電流的峰值； 在所述步驟3中，根據(jù)所述weibull函數(shù)電流源以及所述讀寫仿真電路結(jié)構(gòu)，對(duì)SRAM加固單元的進(jìn)行單粒子效應(yīng)仿真，包括： 改變所述weibull函數(shù)電流源的能量，得到不同能量的weibull函數(shù)電流源； 利用HSPICE工具在所述讀寫仿真電路結(jié)構(gòu)中的SRAM加固單元的所有敏感節(jié)點(diǎn)依次添加所述不同能量的weibull函數(shù)電流源； 驗(yàn)證每個(gè)敏感節(jié)點(diǎn)在添加不同能量的weibull函數(shù)電流源的情況下是能否抵抗單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)所述SRAM加固單元的單粒子效應(yīng)仿真。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人西安電子科技大學(xué)，其通訊地址為：710071 陜西省西安市太白南路2號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。