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龍圖騰網(wǎng)獲悉江蘇銓力微電子有限公司申請(qǐng)的專利一種溝槽雙柵晶體管原胞結(jié)構(gòu)及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115425086B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202211171116.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權(quán)一種溝槽雙柵晶體管原胞結(jié)構(gòu)及其制造方法是由江子標(biāo);劉賀;李新設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-09-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種溝槽雙柵晶體管原胞結(jié)構(gòu)及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)涉及一種溝槽雙柵晶體管原胞結(jié)構(gòu)及其制造方法。一種溝槽雙柵晶體管原胞結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)電襯底、導(dǎo)電外延層、P?well結(jié)區(qū)、源結(jié)區(qū)和源區(qū)引線金屬，導(dǎo)電外延層、P?well結(jié)區(qū)和源結(jié)區(qū)上開設(shè)有閉環(huán)硅槽，閉環(huán)硅槽的槽壁上形成有絕緣隔離氧化層，閉環(huán)硅槽內(nèi)設(shè)置有虛擬柵多晶硅和有效柵多晶硅，虛擬柵多晶硅與有效柵多晶硅之間還設(shè)置有虛擬柵隔離氧化層，有效柵多晶硅與源區(qū)引線金屬之間還設(shè)置有效柵隔離氧化層；源結(jié)區(qū)包括交替設(shè)置的N+源結(jié)區(qū)和P+源結(jié)區(qū)，源區(qū)引線金屬上開設(shè)有電連接插槽，源結(jié)區(qū)靠近源區(qū)引線金屬的一側(cè)插裝在電連接插槽中。本申請(qǐng)的溝槽雙柵晶體管原胞結(jié)構(gòu)縮小了原胞的結(jié)構(gòu)尺寸，減小了導(dǎo)通電阻、導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗高，提高了性價(jià)比。

本發(fā)明授權(quán)一種溝槽雙柵晶體管原胞結(jié)構(gòu)及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種溝槽雙柵晶體管原胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的導(dǎo)電襯底（1）、導(dǎo)電外延層（2）、P-well結(jié)區(qū)（3）、源結(jié)區(qū)（4）和源區(qū)引線金屬（5），導(dǎo)電外延層（2）、P-well結(jié)區(qū)（3）和源結(jié)區(qū)（4）上對(duì)應(yīng)開設(shè)有閉環(huán)硅槽（6），閉環(huán)硅槽（6）的槽壁上形成有絕緣隔離氧化層，閉環(huán)硅槽（6）內(nèi)設(shè)置有虛擬柵多晶硅（8）和有效柵多晶硅（9），虛擬柵多晶硅（8）和有效柵多晶硅（9）均為與閉環(huán)硅槽（6）形狀適配的閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)，虛擬柵多晶硅（8）位于閉環(huán)硅槽（6）的底部，有效柵多晶硅（9）位于虛擬柵多晶硅（8）的遠(yuǎn)離導(dǎo)電襯底（1）一側(cè)，且虛擬柵多晶硅（8）位于閉環(huán)硅槽（6）中對(duì)應(yīng)導(dǎo)電外延層（2）的位置，有效柵多晶硅（9）位于閉環(huán)硅槽（6）中對(duì)應(yīng)P-well結(jié)區(qū)（3）的位置，虛擬柵多晶硅（8）與有效柵多晶硅（9）之間還設(shè)置有將二者絕緣隔離的虛擬柵隔離氧化層（73），有效柵多晶硅（9）與源區(qū)引線金屬（5）之間還設(shè)置有將二者絕緣隔離的有效柵隔離氧化層（74）；源結(jié)區(qū)（4）包括沿閉環(huán)硅槽（6）長(zhǎng)度方向交替設(shè)置的N+源結(jié)區(qū)（41）和P+源結(jié)區(qū)（42），源區(qū)引線金屬（5）上對(duì)應(yīng)源結(jié)區(qū)（4）的位置開設(shè)有電連接插槽（51），源結(jié)區(qū)（4）靠近源區(qū)引線金屬（5）的一側(cè)插裝在電連接插槽（51）中并與源區(qū)引線金屬（5）接觸連接。

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