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龍圖騰網獲悉陜西科技大學申請的專利一種無鉛全無機鹵化物Cs₃Cu₂Br₅鈣鈦礦薄膜憶阻器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115332441B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210968214.2，技術領域涉及：H10N70/20；該發明授權一種無鉛全無機鹵化物Cs₃Cu₂Br₅鈣鈦礦薄膜憶阻器及其制備方法是由朱媛媛;王紅軍;郭子聰;周靜;劉雍;熊銳設計研發完成，并于2022-08-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種無鉛全無機鹵化物Cs₃Cu₂Br₅鈣鈦礦薄膜憶阻器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種無鉛全無機鹵化物Cs3Cu2Br5鈣鈦礦薄膜憶阻器及其制備方法，屬于非易失性存儲器技術領域。本發明公開的一種無鉛全無機鹵化物Cs3Cu2Br5鈣鈦礦薄膜憶阻器的制備方法，選擇襯底并在其上沉積導電薄膜作為憶阻器的導電底部電極；在導電底部電極上進行無鉛全無機鹵化物鈣鈦礦成膜，作為憶阻器的存儲層；然后在Cs3Cu2Br5薄膜上沉積金屬導電薄膜作為導電頂部電極。本發明方法制備的基于無鉛全無機鹵化物Cs3Cu2Br5鈣鈦礦薄膜的憶阻器，具有構建工藝和結構簡單，同時擁有環境友好型和較高穩定性的優點；此外合成Cs3Cu2Br5薄膜的材料來源廣泛且成本低，有利用器件的規模化，具有良好的應用前景。

本發明授權一種無鉛全無機鹵化物Cs₃Cu₂Br₅鈣鈦礦薄膜憶阻器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種無鉛全無機鹵化物Cs3Cu2Br5鈣鈦礦薄膜憶阻器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 首先在襯底上沉積導電薄膜作為導電底部電極，再將CuBr粉末和CsBr粉末混合后溶解于溶劑中，經過超聲處理后得到Cs3Cu2Br5先驅溶液，將Cs3Cu2Br5先驅溶液涂覆至導電底部電極上，成膜后進行退火處理，得到Cs3Cu2Br5鈣鈦礦薄膜存儲層；在Cs3Cu2Br5鈣鈦礦薄膜存儲層上沉積導電薄膜作為導電頂部電極，得到一種無鉛全無機鹵化物Cs3Cu2Br5鈣鈦礦薄膜憶阻器； 所述溶劑為二甲基亞砜和N,N-二甲基甲酰胺；所述二甲基亞砜和N,N-二甲基甲酰胺的摩爾比為（1~8）：1； 在襯底上沉積導電薄膜和在Cs3Cu2Br5鈣鈦礦薄膜存儲層上沉積導電薄膜的方式均采用物理沉積工藝；采用旋涂工藝將Cs3Cu2Br5先驅溶液涂覆至導電底部電極上； 所述旋涂工藝的操作步驟為：先以500rpm~2000rpm的轉速將先驅溶液旋涂于底電極上，旋涂時間為5s~20s，隨后再以2000rpm~8000rpm繼續成膜10s~50s；在旋涂的最后5s~15s加入醋酸甲酯。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人陜西科技大學，其通訊地址為：710021 陜西省西安市未央區大學園；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。