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龍圖騰網獲悉中國科學院金屬研究所申請的專利一種三維納米X射線成像專用單顆粒樣品的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115326847B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210804740.5，技術領域涉及：G01N23/046；該發明授權一種三維納米X射線成像專用單顆粒樣品的制備方法是由王紹鋼;宋苾瑩;李長記;張磊設計研發完成，并于2022-07-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種三維納米X射線成像專用單顆粒樣品的制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于X射線成像技術領域，特別涉及一種三維納米X射線成像專用單顆粒樣品的制備方法。該方法包括：分散尺寸為10～50μm的顆粒；篩選顆粒；加工制備一定直徑的圓柱作為支撐棒；配制膠液，將膠液置于豎直固定的支撐棒的最下端的頂表面上，形成半球狀膠滴；利用薄片鏡面確定半球狀膠滴最低點的高度；調整顆粒平面位置，使得半球狀膠滴最低點接觸到顆粒，繼續降低高度，增加粘結體積；升起支撐棒，待粘結強度達到最大后，取下支撐棒，開始三維納米X射線成像單顆粒樣品掃描。本發明克服了現有方法的易遮擋、失敗率高、設備昂貴、技術門檻高等弊端，實現各類金屬、陶瓷以及復合材料顆粒三維X射線成像專用樣品的精準、簡單、快速、低成本制備。

本發明授權一種三維納米X射線成像專用單顆粒樣品的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種三維納米X射線成像專用單顆粒樣品的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1：將多個顆粒置于一個平整的基板上，對基板施加輕微震動，使顆粒分散開； 步驟2：將基板放置到光學顯微鏡下，篩選目標顆粒，在目標顆粒周圍做標記； 步驟3：加工制備圓柱，圓柱的兩端表面要平整，粗糙度不超過10μm；圓柱的直徑為100～600μm，顆粒的尺寸限定為10～50μm，圓柱的直徑、半球狀膠滴以及顆粒的尺寸相匹配； 步驟4：選取步驟3中加工好的圓柱作為支撐棒，將其一端用夾具豎直固定，并且作為圓柱長度方向垂直于放置臺面的夾持裝置； 步驟5：配制好膠液，等待1～3分鐘，蘸取膠液，置于步驟4中固定好的支撐棒的最下端的頂表面上，獲得半球形狀膠滴； 步驟6：將步驟2的帶有目標顆粒的基板，放置于步驟5的支撐棒下方的臺面上； 步驟7：選擇一塊上表面為鏡面的薄片，記錄薄片厚度為h1； 步驟8：將步驟7中的薄片放到步驟6的基板的無顆粒區域，利用千分尺調整薄片的平面位置，使其位于支撐棒的下方，在放大鏡的輔助下，調整支撐棒的高度，使得已初步固化的半球狀膠滴剛剛接觸鏡面，記錄此時半球狀膠滴最低點的Z方向坐標為Z1； 步驟9：利用千分尺測量顆粒高度，記為h2； 步驟10：粗略調整目標顆粒的平面位置，使其位于支撐棒的正下方，調整半球狀膠滴最低點的Z方向坐標為Z1+h1-h2；此時，半球狀膠滴最低點與目標顆粒的最高點位于同一Z方向坐標點處； 步驟11：升起支撐棒，去除已初步固化的半球狀膠滴，重復步驟5，并重新調整半球狀膠滴最低點的Z方向坐標為Z1+h1-h2； 步驟12：在放大鏡的觀察下，細微調整目標顆粒的平面位置，使得支撐棒下端的頂表面上的尚未凝固的半球狀膠滴最低點接觸到目標顆粒； 步驟13：調整半球狀膠滴最低點高度，根據顆粒的尺寸，繼續下降2～10μm，以增大接觸體積，增加固定強度； 步驟14：升起支撐棒，靜置一段時間后，取下支撐棒，開始三維納米X射線成像單顆粒樣品掃描。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院金屬研究所，其通訊地址為：110016 遼寧省沈陽市沈河區文化路72號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。