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龍圖騰網(wǎng)獲悉太原理工大學(xué)申請的專利一種可在近紅外二區(qū)響應(yīng)的(PEA)₂PbI₄單晶薄膜光電探測器及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115101673B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210708932.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10K30/60；該發(fā)明授權(quán)一種可在近紅外二區(qū)響應(yīng)的(PEA)₂PbI₄單晶薄膜光電探測器及其制備方法是由郤育鶯;崔艷霞;李國輝;冀婷;王文艷;溫榮;梁強(qiáng)兵設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-06-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種可在近紅外二區(qū)響應(yīng)的(PEA)₂PbI₄單晶薄膜光電探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種可在近紅外二區(qū)響應(yīng)的PEA2PbI4單晶薄膜光電探測器，包括溶液法生長的PEA2PbI4單晶薄膜，退火法制備的金納米顆粒。所述PEA2PbI4單晶薄膜上設(shè)置有對稱的金屬銀電極，所述銀電極的厚度為80nm，所述金納米顆粒的平均直徑為100nm。本發(fā)明采用上述結(jié)構(gòu)的一種可在近紅外二區(qū)響應(yīng)的PEA2PbI4單晶薄膜光電探測器，通過調(diào)節(jié)金納米顆粒的尺寸，實現(xiàn)對入射光在PEA2PbI4單晶不吸光范圍的完美俘獲，在近紅外二區(qū)生物醫(yī)學(xué)基礎(chǔ)研究和等臨床轉(zhuǎn)化方面展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。

本發(fā)明授權(quán)一種可在近紅外二區(qū)響應(yīng)的(PEA)₂PbI₄單晶薄膜光電探測器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種可在近紅外二區(qū)響應(yīng)的PEA2PbI4單晶薄膜光電探測器，由光學(xué)天線結(jié)構(gòu)、PEA2PbI4單晶薄膜、對稱銀電極層組成，其特征在于，光學(xué)天線結(jié)構(gòu)為平均粒徑大小為100nm金納米小球，PEA2PbI4單晶薄膜吸光層的厚度為5μm，對稱銀電極是厚度為80nm±0.2nm的銀； 光學(xué)天線結(jié)構(gòu)面為沉積在玻璃片上5nm厚的金屬薄膜經(jīng)過馬弗爐500℃退火形成的呈隨機(jī)分布的島狀金屬納米小球結(jié)構(gòu)，金屬納米小球的平均直徑為100nm，小球之間的平均間隙為170nm。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人太原理工大學(xué)，其通訊地址為：030000 山西省太原市迎澤西大街79號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。