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龍圖騰網(wǎng)獲悉華虹半導(dǎo)體(無錫)有限公司申請(qǐng)的專利浮柵型分柵閃存的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114038856B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111370379.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/30；該發(fā)明授權(quán)浮柵型分柵閃存的制造方法是由許昭昭設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-11-18向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本浮柵型分柵閃存的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種浮柵型分柵閃存的制造方法，其包括以下步驟：沉積并刻蝕形成第三側(cè)墻介質(zhì)層；以第一側(cè)墻介質(zhì)層、選擇柵介質(zhì)層、氧化硅層、第三側(cè)墻介質(zhì)層作為硬質(zhì)掩膜，將兩側(cè)剩余的浮柵多晶硅層、多晶硅間ONO層、多晶硅層去除，并進(jìn)行LDD注入形成LDD區(qū)；去除先進(jìn)CMOS區(qū)域的光刻膠，再次涂光刻膠并顯影使得閃存區(qū)域以光刻膠蓋住注入先進(jìn)CMOS器件的LDD和Halo；沉積并刻蝕形成第四側(cè)墻介質(zhì)層，源漏注入形成源漏區(qū)。本發(fā)明將減小了浮柵型分柵閃存的側(cè)墻介質(zhì)層厚度，使得控制柵的長度等于第一側(cè)墻介質(zhì)層的厚度加上先進(jìn)第三側(cè)墻介質(zhì)層的厚度，增加了CG長度，有利于提高CG?FG的耦合系數(shù)，提高CG的控制能力，降低器件的漏電。

本發(fā)明授權(quán)浮柵型分柵閃存的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種浮柵型分柵閃存的制造方法，其特征在于，其包括以下步驟： 步驟十一，在P型襯底上注入形成P型阱，P型阱上熱氧化生長浮柵氧化層，沉積形成多晶硅層和第一氮化硅層；進(jìn)行STI工藝形成淺溝槽； 步驟十二，依次沉積多晶硅間ONO層、浮柵多晶硅層、厚氮化硅層； 步驟十三，沉積氧化硅層，并利用各向異性刻蝕形成第一側(cè)墻介質(zhì)層；利用第一側(cè)墻介質(zhì)層作為硬質(zhì)掩膜，對(duì)控制柵多晶硅進(jìn)行各向異性刻蝕，形成自對(duì)準(zhǔn)的控制柵，并刻蝕多晶硅間ONO層；沉積絕緣介質(zhì)層，并各向異性刻蝕形成第二側(cè)墻介質(zhì)層，利用第二側(cè)墻介質(zhì)層和第一側(cè)墻介質(zhì)層共同作為硬質(zhì)掩膜，自對(duì)準(zhǔn)刻蝕形成浮柵和浮柵介質(zhì)層；依次沉積形成選擇柵介質(zhì)層和選擇柵多晶硅層，并通過CMP方式形成自對(duì)準(zhǔn)的選擇柵；熱氧化選擇柵多晶硅層在選擇柵多晶硅層上方形成氧化硅層； 步驟十四，以第一側(cè)墻介質(zhì)層、選擇柵介質(zhì)層、氧化硅層作為硬質(zhì)掩膜，將兩側(cè)剩余的厚氮化硅層通過濕法各向同性刻蝕去除； 步驟十五，沉積并刻蝕形成第三側(cè)墻介質(zhì)層； 步驟十六，光刻打開閃存區(qū)域同時(shí)先進(jìn)CMOS區(qū)域以光刻膠蓋住，以第一側(cè)墻介質(zhì)層、選擇柵介質(zhì)層、氧化硅層、第三側(cè)墻介質(zhì)層作為硬質(zhì)掩膜，將兩側(cè)剩余的浮柵多晶硅層、多晶硅間ONO層、多晶硅層去除，并對(duì)閃存區(qū)進(jìn)行LDD注入形成LDD區(qū)； 步驟十七，去除先進(jìn)CMOS區(qū)域的光刻膠，再次涂光刻膠并顯影使得閃存區(qū)域以光刻膠蓋住同時(shí)光刻打開先進(jìn)CMOS區(qū)域，自對(duì)準(zhǔn)注入先進(jìn)CMOS器件的LDD和Halo； 步驟十八，沉積并刻蝕形成第四側(cè)墻介質(zhì)層，源漏注入形成源漏區(qū)。

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