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龍圖騰網獲悉山東華光光電子股份有限公司申請的專利一種帶有V型模式擴展層的AlGaInP紅光半導體激光器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115912046B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111160442.9，技術領域涉及：H01S5/065；該發明授權一種帶有V型模式擴展層的AlGaInP紅光半導體激光器及其制備方法是由劉飛;張新;于軍設計研發完成，并于2021-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種帶有V型模式擴展層的AlGaInP紅光半導體激光器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種帶有V型模式擴展層的AlGaInP紅光半導體激光器及其制備方法。所述激光器由下至上依次包括GaAs襯底、GaAs緩沖層、Ga0.5In0.5P下過渡層、Al0.5In0.5P第一下限制層、組分V型變化的Ala1Ga1?a1b1In1?b1P模式擴展層、Al0.5In0.5P第二下限制層、Alx1Ga1?x1y1In1? y1P下波導層、Ga1?x2Inx2P第一量子阱、Alx3Ga1?x3y2In1?y2P壘層、Ga1?x4Inx4P第二量子阱、Alx5Ga1?x5y3In1?y3P上波導層、Al0.5In0.5P第一上限制層、Ga1?x6Inx6P腐蝕終止層、Al0.5In0.5P第二上限制層、Ga0.5In0.5P上過渡層和GaAs帽層。本發明通過在Al0.5In0.5P第一下限制層和Al0.5In0.5P第二下限制層之間插入組分V型變化的Ala1Ga1?a1b1In1?b1P模式擴展層，消除腐蝕終止層折射率變化導致的光場偏移，提高光場與量子阱的重合度，降低閾值電流。

本發明授權一種帶有V型模式擴展層的AlGaInP紅光半導體激光器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種帶有V型模式擴展層的AlGaInP紅光半導體激光器，其特征在于，由下至上依次包括GaAs襯底、GaAs緩沖層、Ga0.5In0.5P下過渡層、Al0.5In0.5P第一下限制層、組分V型變化的Ala1Ga1-a1b1In1-b1P模式擴展層、Al0.5In0.5P第二下限制層、Alx1Ga1-x1y1In1-y1P下波導層、Ga1-x2Inx2P第一量子阱、Alx3Ga1-x3y2In1-y2P壘層、Ga1-x4Inx4P第二量子阱、Alx5Ga1-x5y3In1-y3P上波導層、Al0.5In0.5P第一上限制層、Ga1-x6Inx6P腐蝕終止層、Al0.5In0.5P第二上限制層、Ga0.5In0.5P上過渡層和GaAs帽層； 其中，0.55≤a1≤0.95，0.4≤b1≤0.6；a1組分由大變小、再由小變大，呈組分V型變化。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山東華光光電子股份有限公司，其通訊地址為：250101 山東省濟南市歷下區高新區天辰大街1835號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。