格科微電子(上海)有限公司黃琨獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉格科微電子(上海)有限公司申請的專利CMOS圖像傳感器及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115810641B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111082436.6，技術領域涉及：H10F39/18；該發明授權CMOS圖像傳感器及其形成方法是由黃琨;彭文冰設計研發完成，并于2021-09-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本CMOS圖像傳感器及其形成方法在說明書摘要公布了：一種CMOS圖像傳感器及其形成方法，所述方法包括：提供半導體襯底；在所述半導體襯底內形成埋溝摻雜區；在所述半導體襯底的表面形成柵極；形成輕摻雜漏區，所述輕摻雜漏區位于所述柵極兩側的半導體襯底內；在所述柵極的側壁表面形成側墻，以得到柵極結構；形成源區和漏區，所述源區和漏區分別位于所述柵極結構兩側的半導體襯底內；其中，所述埋溝摻雜區的摻雜類型與所述輕摻雜漏區的摻雜類型一致，且所述埋溝摻雜區的摻雜濃度小于所述輕摻雜漏區的摻雜濃度；在平行于器件溝道的延伸方向上，所述第一摻雜區大于所述漏區且覆蓋所述漏區。本發明可以減少載流子復合發光，提高圖像傳感器的成像質量。
本發明授權CMOS圖像傳感器及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括： 提供半導體襯底； 在所述半導體襯底內形成埋溝摻雜區； 在所述半導體襯底的表面形成柵極； 形成輕摻雜漏區，所述輕摻雜漏區位于所述柵極兩側的半導體襯底內； 在所述柵極的側壁表面形成側墻，以得到柵極結構； 形成源區和漏區，所述源區和漏區分別位于所述柵極結構兩側的半導體襯底內； 其中，所述埋溝摻雜區的摻雜類型與所述輕摻雜漏區的摻雜類型一致，且所述埋溝摻雜區的摻雜濃度小于所述輕摻雜漏區的摻雜濃度； 所述埋溝摻雜區包括位于所述漏區一側的半導體襯底內的第一摻雜區，所述第一摻雜區與所述漏區一側的輕摻雜漏區具有重疊區域，且所述第一摻雜區的邊界延伸至所述柵極的下方； 在平行于器件溝道的延伸方向上，所述第一摻雜區大于所述漏區且覆蓋所述漏區。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人格科微電子(上海)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區盛夏路560弄2號樓11F；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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