格芯(美國)集成電路科技有限公司H·迪克西特獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉格芯(美國)集成電路科技有限公司申請的專利具有帶彎曲的非平坦表面的自由鐵磁材料層的存儲器基元和制造這種存儲器基元的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114079003B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110924251.9，技術領域涉及：H10N50/10；該發明授權具有帶彎曲的非平坦表面的自由鐵磁材料層的存儲器基元和制造這種存儲器基元的方法是由H·迪克西特;V·B·奈克;山根一陽設計研發完成，并于2021-08-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有帶彎曲的非平坦表面的自由鐵磁材料層的存儲器基元和制造這種存儲器基元的方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種具有帶彎曲的非平坦表面的自由鐵磁材料層的存儲器基元和制造這種存儲器基元的方法。本文公開的示例性存儲器基元包括：底部電極；位于底部電極上方的頂部電極；以及位于底部電極上方且位于頂部電極下方的MTJ磁隧道結結構。在該示例中，MTJ結構包括：位于底部電極上方的第一鐵磁材料層；位于第一鐵磁材料層上方的非磁性絕緣層；以及位于非磁性絕緣層上的第二鐵磁材料層，其中非磁性絕緣層和鐵磁材料層之間存在彎曲的非平坦界面。
本發明授權具有帶彎曲的非平坦表面的自由鐵磁材料層的存儲器基元和制造這種存儲器基元的方法在權利要求書中公布了：1.一種存儲器器件，其包括存儲器基元，所述存儲器基元包括： 底部電極，其位于導電結構上并且具有導電地耦合到所述導電結構的彎曲上表面的彎曲底表面； 頂部電極，其位于所述底部電極上方；以及 MTJ磁隧道結結構，其位于所述底部電極上方且位于所述頂部電極下方，其中所述MTJ結構包括： 位于所述底部電極上方的第一鐵磁材料層； 位于所述第一鐵磁材料層上方的非磁性絕緣層；以及 位于所述非磁性絕緣層上的第二鐵磁材料層，其中所述非磁性絕緣層和所述鐵磁材料層之間存在彎曲的非平坦界面， 其中，所述存儲器器件還包括： 至少一個絕緣材料層，其中，所述導電結構位于所述至少一個絕緣材料層中； 附加絕緣材料層，其中，所述底部電極、所述MTJ結構和所述頂部電極位于所述附加絕緣材料層中；以及 保形蝕刻停止層，其包括位于所述底部電極、所述MTJ結構和所述頂部電極與所述附加絕緣材料層之間的第一部分和位于所述至少一個絕緣材料層的上表面與所述附加絕緣材料層的底表面之間的第二部分。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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