買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115602610B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110779490.X，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構及其制備方法是由劉志拯設計研發完成，并于2021-07-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種半導體結構及其制備方法，包括提供疊層結構，包括第一芯片及第二芯片；于所述疊層結構內形成硅通孔，包括第一部分及與所述第一部分相連通的第二部分，第一部分的側壁為豎直側壁，第二部分的側壁為傾斜側壁；于所述第一部分的側壁上形成絕緣層；于所述硅通孔內形成導電層。本申請提供的半導體結構及其制備方法通過形成貫穿第二芯片及部分第一芯片的硅通孔，并于硅通孔內形成導電層，無需額外的導電結構即可實現第一芯片與第二芯片內各層金屬層之間的電連接，可以簡化半導體結構及工藝步驟；同時，由于第二部分的側壁為傾斜側壁，便于僅僅于第一部分的側壁上形成絕緣層，簡化工藝步驟，降低成本。

本發明授權半導體結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 提供疊層結構；所述疊層結構包括第一芯片及第二芯片，所述第二芯片面對面鍵合于所述第一芯片上，所述第一芯片及所述第二芯片均包括襯底、位于所述襯底上的介質層及位于所述介質層內的金屬層； 于所述疊層結構內形成硅通孔；所述硅通孔包括第一部分及與所述第一部分相連通的第二部分，所述第一部分貫穿所述第二芯片的所述襯底，且所述第一部分的側壁為豎直側壁；所述第二部分貫穿所述第二芯片的所述金屬層，并貫穿至少部分所述第一芯片中的所述金屬層，所述第二部分的側壁為傾斜側壁，且所述第二部分底部的寬度小于所述第二部分頂部的寬度； 于所述第一部分的側壁上形成絕緣層； 于所述硅通孔內形成導電層，所述導電層與所述第一芯片及所述第二芯片內貫穿的所述金屬層電連接； 其中，于所述第一部分的側壁上形成絕緣層包括： 于所述硅通孔的側壁及底部形成絕緣材料層； 采用干法刻蝕工藝去除位于所述第二部分側壁及底部的所述絕緣材料層，保留于所述第一部分側壁的所述絕緣材料層即為所述絕緣層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。