中微半導體設備(上海)股份有限公司胡增文獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉中微半導體設備(上海)股份有限公司申請的專利一種襯底處理方法及系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115376911B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110557429.0，技術領域涉及：H01L21/311；該發明授權一種襯底處理方法及系統是由胡增文;侯劍秋設計研發完成，并于2021-05-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種襯底處理方法及系統在說明書摘要公布了：本發明公開了一種襯底處理方法及系統，該方法包含：在襯底上形成若干個間隔件；通入沉積氣體并激發成等離子體；形成聚合物沉積在間隔件表面，使相鄰間隔件的距離的差值減小；通入處理氣體對襯底進行刻蝕。其優點是：該方法通過通入沉積氣體并激發成等離子體，進而形成聚合物沉積在間隔件的表面，根據工藝需求使相鄰間隔件的距離的差值發生改變，以便后續工藝的刻蝕，提高了晶片良品率，優化了集成電路的制備流程。
本發明授權一種襯底處理方法及系統在權利要求書中公布了：1.一種襯底處理方法，其特征在于，包含： 在襯底上形成若干個間隔件； 相鄰的所述間隔件具有第一開口和第二開口，所述第一開口的開口距離小于所述第一開口的底部距離，所述第二開口的開口距離大于所述第二開口的底部距離； 通入沉積氣體并激發成等離子體； 形成聚合物在所述第一開口對應的相鄰間隔件表面沉積量小于在所述第二開口對應的相鄰間隔件表面沉積量，使所述第二開口的開口距離與第一開口的開口距離之差減小； 通入處理氣體對襯底進行刻蝕； 其中，所述在襯底上形成若干個間隔件包含： 通過對襯底上的核芯層進行等離子體刻蝕形成若干個核芯，所述核芯的頂部的截面呈圓弧狀； 在所述核芯上通過化學氣相沉積間隔層； 通過對核芯和間隔層進行等離子體刻蝕形成間隔件。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中微半導體設備(上海)股份有限公司，其通訊地址為：201201 上海市浦東新區金橋出口加工區（南區）泰華路188號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號