買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉蘇州晶湛半導體有限公司申請的專利垂直型器件的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114303249B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980099912.X，技術領域涉及：H10D30/63；該發明授權垂直型器件的制作方法是由程凱設計研發完成，并于2019-09-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本垂直型器件的制作方法在說明書摘要公布了：一種垂直型器件的制作方法，首先自正面10a刻蝕GaN基半導體襯底10形成凹槽101；接著在凹槽101的底壁、側壁以及半導體襯底正面10a依次形成P型半導體層11與N型半導體層12，P型半導體層11部分填充凹槽101；之后，平坦化N型半導體層12與P型半導體層11，且保留凹槽101內的P型半導體層11和N型半導體層12；再接著分別在半導體襯底正面10a的柵極區域形成柵極結構13、在柵極結構13的兩側形成源極14，以及在半導體襯底背面10b形成漏極15。避免刻蝕N型半導體層12以及P型半導體層11來制作柵極結構13，進而避免刻蝕深度難以精準控制導致的柵極結構13控制能力偏離預設計的控制能力，從而垂直型器件的性能可通過制作工藝精準可控。

本發明授權垂直型器件的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種垂直型器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供GaN基半導體襯底10，所述半導體襯底10具有相對的正面10a與背面10b，自所述正面10a刻蝕所述半導體襯底10形成凹槽101； 在所述凹槽101的底壁、側壁以及半導體襯底正面10a依次形成P型半導體層11與N型半導體層12，所述P型半導體層11部分填充所述凹槽101； 平坦化所述N型半導體層12與P型半導體層11，且保留所述凹槽101內的P型半導體層11和N型半導體層12； 分別形成柵極結構13、源極14以及漏極15；所述柵極結構13位于所述半導體襯底正面10a的柵極區域，所述源極14位于所述柵極結構13的兩側；所述漏極15位于所述半導體襯底背面10b； 其中，在所述凹槽101的底壁、側壁以及半導體襯底正面10a依次形成P型半導體層11與N型半導體層12步驟中包括： 在所述凹槽101的所述底壁、所述側壁以及所述半導體襯底正面10a沉積所述P型半導體層11，并在所述沉積的所述P型半導體層11上形成所述N型半導體層12，以避免刻蝕所述N型半導體層12以及所述P型半導體層11。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州晶湛半導體有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市蘇州工業園區金雞湖大道99號西北區20幢517-A室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。