英飛凌科技股份有限公司D·圖姆波德獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉英飛凌科技股份有限公司申請的專利輻射源以及使用該輻射源的氣體傳感器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113252570B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110112323.X，技術領域涉及：G01N21/17；該發明授權輻射源以及使用該輻射源的氣體傳感器是由D·圖姆波德;C·格拉策;S·庫巴克基設計研發完成，并于2021-01-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本輻射源以及使用該輻射源的氣體傳感器在說明書摘要公布了：一種用于將窄帶電磁輻射11傾斜地發射到腔體12中的輻射源10，包括：發射器結構14，該發射器結構14具有用于發射窄帶電磁輻射11的主輻射發射區域14?1，其中發射器結構14光學耦合到腔體12；以及層元件18，該層元件18耦合到發射器結構14的主輻射發射區域14?1，其中該層元件18包括輻射偏轉畸變結構20，該輻射偏轉畸變結構被配置為用于相對于發射器結構14的主輻射發射區域14?1的表面法線偏轉發射器結構14的輻射發射特征。
本發明授權輻射源以及使用該輻射源的氣體傳感器在權利要求書中公布了：1.一種用于將窄帶電磁輻射11傾斜地發射到腔體12中的輻射源10，包括： 發射器結構14，具有用于發射所述窄帶電磁輻射11的主輻射發射區域14-1，其中所述發射器結構14光學耦合到所述腔體12；以及 層元件18，耦合到所述發射器結構14的所述主輻射發射區域14-1，其中所述層元件18包括輻射偏轉結構20，所述輻射偏轉結構20被配置為用于相對于所述發射器結構14的所述主輻射發射區域14-1的表面法線N偏轉所述發射器結構14的輻射發射特征， 其中所述層元件18的所述輻射偏轉結構20包括多個導光元件22，其中所述導光元件22的定向相對于所述發射器結構14的所述主輻射發射區域14-1的表面法線有角度地偏移，其中所述導光元件22被形成為由光學不透明中間層或反射中間層24分開的傾斜透明通道23，其中所述透明通道23和所述光學不透明中間層或反射中間層24以交替且相鄰配置布置，和或 其中所述導光元件22包括透明區域23和不透明壁區域或反射壁區域25，其中所述透明區域23和所述不透明壁區域或反射壁區域25以交替且相鄰配置布置。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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