三星電子株式會社曹永真獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利包括存儲單元串的垂直非易失性存儲器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113130508B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010805334.1，技術領域涉及：H10B43/35；該發明授權包括存儲單元串的垂直非易失性存儲器件是由曹永真;尹政昊;金世潤;金真弘;水崎壯一郎設計研發完成，并于2020-08-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本包括存儲單元串的垂直非易失性存儲器件在說明書摘要公布了：公開了一種垂直非易失性存儲器件，其包括使用電阻變化材料的存儲單元串。該非易失性存儲器件的每個存儲單元串包括：半導體層，在第一方向上延伸并具有與第二表面相反的第一表面；多個柵極和多個絕緣體，在第一方向上交替地布置并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；柵極絕緣層，在所述多個柵極與半導體層的第一表面之間以及在所述多個絕緣體與半導體層的第一表面之間沿第一方向延伸；以及電介質膜，在半導體層的第二表面上沿第一方向延伸并具有分布在其中的多個可移動的氧空位。
本發明授權包括存儲單元串的垂直非易失性存儲器件在權利要求書中公布了：1.一種非易失性存儲器件，包括： 多個存儲單元串，所述多個存儲單元串中的每個包括： 半導體層，在第一方向上延伸并且具有與第二表面相反的第一表面， 多個柵極和多個絕緣體，在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸,所述多個柵極和所述多個絕緣體在所述第一方向上交替地布置， 柵極絕緣層，在所述多個柵極與所述半導體層的所述第一表面之間以及在所述多個絕緣體與所述半導體層的所述第一表面之間沿所述第一方向延伸，以及 電介質膜，在所述半導體層的所述第二表面上沿所述第一方向延伸，所述電介質膜具有分布在其中的可移動的多個氧空位， 其中當所述多個氧空位均勻地分散在所述電介質膜中時，所述電介質膜處于高電阻狀態，以及當所述多個氧空位朝向與所述半導體層的界面移動并分布在與所述半導體層的所述界面處時，所述電介質膜處于低電阻狀態。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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