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龍圖騰網(wǎng)獲悉華潤微電子(重慶)有限公司申請的專利溝槽柵金屬氧化物半導體場效應管及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114361247B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010418876.3，技術領域涉及：H10D64/00；該發(fā)明授權溝槽柵金屬氧化物半導體場效應管及其制備方法是由方冬;肖魁設計研發(fā)完成，并于2020-05-18向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本溝槽柵金屬氧化物半導體場效應管及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種溝槽柵金屬氧化物半導體場效應管及其制備方法，包括：第一導電類型漂移區(qū)；第二導電類型體區(qū)，形成于漂移區(qū)內；第一導電類型源區(qū)，形成于體區(qū)內，源區(qū)開設有延伸至漂移區(qū)內的溝槽；溝槽內填充有相互隔離的第一導電結構和第二導電結構，第一導電結構底部深度大于第二導電結構底部深度，定義第一導電結構中深度超過第二導電結構底部深度的部分為場板調節(jié)結構；第一摻雜區(qū)，具有第二導電類型，形成于漂移區(qū)內且與體區(qū)相接，第一摻雜區(qū)的底部深度超過場板調節(jié)結構的頂部深度；源區(qū)、體區(qū)與源極連接；第二導電結構與柵極連接。通過形成第一摻雜區(qū)和場板調節(jié)結構，可增強漂移區(qū)的耗盡，提高器件耐壓。

本發(fā)明授權溝槽柵金屬氧化物半導體場效應管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種溝槽柵金屬氧化物半導體場效應管，其特征在于，包括： 漂移區(qū)，具有第一導電類型，形成于半導體襯底上； 體區(qū)，具有第二導電類型，形成于所述漂移區(qū)的上表層； 源區(qū)，具有第一導電類型，形成于所述體區(qū)的上表層； 溝槽，依次穿透所述源區(qū)和所述體區(qū)并延伸至所述漂移區(qū)內； 填充結構，包括填充于所述溝槽內且相互隔離的第一導電結構和第二導電結構、以及形成于所述第一導電結構與溝槽內壁之間和所述第二導電結構與所述溝槽內壁之間的氧化層，所述第一導電結構底部深度超過所述第二導電結構底部深度，定義第一導電結構中深度超過所述第二導電結構底部深度的部分為場板調節(jié)結構； 第一摻雜區(qū)，具有第二導電類型，形成于所述漂移區(qū)內且與所述體區(qū)的下表面相接，所述第一摻雜區(qū)與所述溝槽間隔設置，所述第一摻雜區(qū)的底部深度超過所述場板調節(jié)結構的頂部深度； 源極引出結構，與所述源區(qū)和所述體區(qū)連接；以及 柵極引出結構，與所述第二導電結構連接； 所述第一摻雜區(qū)的側壁包括自所述體區(qū)底部向下延伸的與溝槽側壁平行的第一部分和自所述第一部分繼續(xù)向下延伸并向所述第一摻雜區(qū)內部逐漸傾斜的第二部分，所述第二部分的縱向剖面呈倒梯形或倒三角形，所述第一部分和所述第二部分的交界面穿過所述場板調節(jié)結構。

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