意法半導體國際有限公司A·庫瑪獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉意法半導體國際有限公司申請的專利提高低電源電壓環境下SRAM穩定性的字線欠驅動的脈沖應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110875074B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910828428.8，技術領域涉及：G06F12/00；該發明授權提高低電源電壓環境下SRAM穩定性的字線欠驅動的脈沖應用是由A·庫瑪;M·A·阿拉姆設計研發完成，并于2019-09-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本提高低電源電壓環境下SRAM穩定性的字線欠驅動的脈沖應用在說明書摘要公布了：本公開的各實施例涉及提高低電源電壓環境下SRAM穩定性的字線欠驅動的脈沖應用。耦合到存儲器單元的字線與在存儲器單元處執行讀寫操作相關地被選擇。在所選擇的字線上斷言字線信號。字線信號的斷言具有前沿和后沿，并且在前沿和后沿之間具有一系列字線欠驅動脈沖。每個字線欠驅動脈沖使字線電壓從第一電壓水平下降到第二電壓水平，然后從第二電壓水平上升到第一電壓水平。第一和第二電壓水平都大于存儲器單元的地電壓。
本發明授權提高低電源電壓環境下SRAM穩定性的字線欠驅動的脈沖應用在權利要求書中公布了：1.一種方法，包括： 解碼地址以選擇耦合到存儲器單元的字線； 在所選擇的所述字線上斷言字線信號，以在所述存儲器單元處執行讀寫操作，所斷言的所述字線信號具有前沿和后沿；以及 在所述前沿和所述后沿之間，將多個字線欠驅動脈沖應用到所斷言的所述字線信號，每個字線欠驅動脈沖使所斷言的所述字線信號的電壓從第一電壓水平下降到第二電壓水平，并且然后從所述第二電壓水平上升到所述第一電壓水平； 其中所述第一電壓水平和所述第二電壓水平兩者均大于所述存儲器單元的地電壓；以及 其中在應用所述多個字線欠驅動脈沖期間，所述存儲器單元的真實位線電壓與互補位線電壓之間的差異被增加。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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