朗姆研究公司秦策獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉朗姆研究公司申請的專利氧化硅氮化硅堆疊件階梯式蝕刻獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111418046B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201880077770.2，技術領域涉及：H01L21/311；該發明授權氧化硅氮化硅堆疊件階梯式蝕刻是由秦策;譚忠魁;傅乾;李圣度設計研發完成，并于2018-11-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本氧化硅氮化硅堆疊件階梯式蝕刻在說明書摘要公布了：提供了一種用于在襯底上的堆疊件中形成樓梯踏步式結構的方法。所述方法包括至少一個樓梯踏步循環。每個樓梯踏步循環包括：修整所述掩模并且蝕刻所述堆疊件。在多個循環中提供蝕刻所述堆疊件，其中每個循環包括：刻蝕SiO2層以及蝕刻SiN層。刻蝕SiO2層包括：使SiO2蝕刻氣體流入所述等離子體處理室，其中，所述SiO2蝕刻氣體包括SF6和NF3中的至少一種、氫氟烴以及惰性轟擊氣體；由所述SiO2蝕刻氣體產生等離子體；提供偏置以及停止所述SiO2層蝕刻。所述蝕刻SiN層包括：使SiN蝕刻氣體流入所述等離子體處理室，所述SiN蝕刻氣體包含氫氟烴和氧；由所述SiN蝕刻氣體產生等離子體；提供偏置；以及停止所述SiN層蝕刻。
本發明授權氧化硅氮化硅堆疊件階梯式蝕刻在權利要求書中公布了：1.一種用于在等離子體處理室中的襯底上的堆疊件中形成階梯式結構的方法，其中，所述堆疊件包括在掩模下的多個氧化硅和氮化硅雙層，所述方法包括至少一個階梯循環，其中每個階梯循環包括： 修整所述掩模；以及 在多個循環中蝕刻所述堆疊件，其中每個循環包括： 刻蝕SiO2層，其包括： 使SiO2蝕刻氣體流入所述等離子體處理室，其中，所述SiO2蝕刻氣體包括SF6和NF3中的至少一種、氫氟烴以及惰性轟擊氣體； 由所述SiO2蝕刻氣體產生等離子體； 提供偏置；以及 停止所述SiO2層蝕刻；以及 蝕刻SiN層，其中，相對于所述SiO2層和所述掩模選擇性地蝕刻所述SiN層，其包括： 使SiN蝕刻氣體流入所述等離子體處理室，其中，所述SiN蝕刻氣體包含氫氟烴和氧； 由所述SiN蝕刻氣體產生等離子體； 提供偏置；以及 停止所述SiN層蝕刻。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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