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龍圖騰網獲悉蘇州優晶半導體科技股份有限公司申請的專利一種碳化硅單晶的生長裝置及原位退火方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120250160B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510756885.6，技術領域涉及：C30B29/36；該發明授權一種碳化硅單晶的生長裝置及原位退火方法是由趙文超;陳建明;袁長路;劉顯華;吳昊設計研發完成，并于2025-06-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種碳化硅單晶的生長裝置及原位退火方法在說明書摘要公布了：本發明屬于碳化硅晶體生長技術領域，具體涉及一種碳化硅單晶的生長裝置及原位退火方法。裝置包括坩堝部，坩堝部包括：坩堝本體，用于容納原料；蓋體，蓋體的邊緣向下延伸至與坩堝本體的上部密封連接，蓋體的下表面中央向下延伸形成延伸部，延伸部的下表面用于安裝籽晶，延伸部的側面與蓋體的內側面之間形成第一環形凹槽，蓋體的上表面具有沿周向設置的凹部，沿周向設置的凹部的底部和延伸部的側面在豎直方向上對應設置。用于碳化硅單晶生長時，能夠促進應力釋放，減少晶體缺陷，提高晶體質量。

本發明授權一種碳化硅單晶的生長裝置及原位退火方法在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅單晶的生長裝置，包括坩堝部，其特征在于，所述坩堝部包括： 坩堝本體（1），用于容納原料； 蓋體（2），所述蓋體（2）的邊緣向下延伸至與所述坩堝本體（1）的上部密封連接，所述蓋體（2）的下表面中央向下延伸形成延伸部（201），所述延伸部（201）的下表面用于安裝籽晶，所述延伸部（201）的側面與所述蓋體（2）的內側面之間形成第一環形凹槽（202），所述蓋體（2）的上表面具有沿周向設置的凹部（203），所述沿周向設置的凹部（203）的底部和所述延伸部（201）的側面在豎直方向上對應設置； 所述沿周向設置的凹部（203）的深度D1相對所述第一環形凹槽（202）的底部與所述蓋體（2）的上表面之間的距離的占比為13~12； 所述沿周向設置的凹部（203）的寬度W1為0.3mm~1.5mm； 所述沿周向設置的凹部（203）的底部的中心徑與所述延伸部（201）的直徑的比值為1.0~1.2； 所述生長裝置用于碳化硅單晶的原位退火。

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