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龍圖騰網獲悉上海邦芯半導體科技有限公司申請的專利一種半導體結構制造方法及半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120280335B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510756522.2，技術領域涉及：H01L21/033；該發明授權一種半導體結構制造方法及半導體結構是由張名瑜;王士京;王兆祥;梁潔;涂樂義;桂智謙;仲凱設計研發完成，并于2025-06-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體結構制造方法及半導體結構在說明書摘要公布了：本申請公開了一種半導體結構制造方法及半導體結構，方法包括：提供一側上形成有多個第一掩膜結構的碳化硅襯底，在第一掩膜結構的露出表面上形成第二掩膜結構，以第二掩膜結構和第一掩膜結構為掩膜，對碳化硅襯底進行刻蝕，在碳化硅襯底中形成具有一定刻蝕深度的高深寬比刻蝕結構；第二掩膜結構的材料和第一掩膜結構的材料為相同的硬掩膜材料，在刻蝕終點時，第二掩膜結構被完全刻蝕去除，露出剩余的第一掩膜結構的表面。本申請能夠對原有掩膜的厚度不足加以補償，減少損傷，提高對碳化硅襯底表面的保護效果，并可彌補原有掩膜自身帶來的缺陷，確保得到理想的最終刻蝕形貌，同時能夠實現更大的刻蝕深寬比。

本發明授權一種半導體結構制造方法及半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構制造方法，其特征在于，包括： 提供碳化硅襯底，所述碳化硅襯底的一側上形成有多個第一掩膜結構，相鄰兩個所述第一掩膜結構之間具有開口，露出所述碳化硅襯底的表面； 在所述第一掩膜結構的露出表面上沉積第二掩膜層，所述第二掩膜層在所述第一掩膜結構頂面上的沉積厚度大于在所述第一掩膜結構單側側面和所述碳化硅襯底的露出表面上的沉積厚度，以在所述第一掩膜結構的頂面和側面上形成相直接接觸的第二掩膜結構； 以所述第二掩膜結構和所述第一掩膜結構為掩膜，對所述碳化硅襯底進行刻蝕，在所述開口的底面上形成位于所述碳化硅襯底中，并具有一定刻蝕深度的碳化硅高深寬比刻蝕結構； 其中，所述第二掩膜結構的材料和所述第一掩膜結構的材料為相同的硬掩膜材料，所述第二掩膜結構用于對所述第一掩膜結構的原有厚度的不足進行補償，使得提供消耗的掩膜厚度增加，以減少所述第一掩膜結構原有的刻蝕消耗量；在刻蝕終點時，所述第二掩膜結構被完全刻蝕去除，露出剩余的所述第一掩膜結構的表面； 所述第二掩膜結構還用于對所述第一掩膜結構的表面進行修飾，以消除掩膜缺陷，改善對所述碳化硅襯底進行刻蝕時的形貌缺陷；所述第一掩膜結構的材料和所述第二掩膜結構的材料為氧化硅，形成由所述第一掩膜結構和所述第二掩膜結構組成的一體氧化硅材料的復合掩膜結構；所述第二掩膜結構的原始厚度與所述第一掩膜結構的原始厚度之比為1：10～1：2，執行對所述碳化硅襯底進行刻蝕后，剩余的所述復合掩膜結構的厚度小于原有的所述第一掩膜結構的厚度，使所述第一掩膜結構的剩余厚度為所述第二掩膜結構的原始厚度和所述第一掩膜結構的原始厚度之和的13以上。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海邦芯半導體科技有限公司，其通訊地址為：201304 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區臨港新片區平霄路358號7號廠房、9號廠房；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。