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龍圖騰網獲悉廣東芯粵能半導體有限公司申請的專利功率器件及其制備方法、電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120302666B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510758127.8，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權功率器件及其制備方法、電子設備是由相奇;羅幸君;楊俊;朱普磊;馮銳設計研發完成，并于2025-06-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本功率器件及其制備方法、電子設備在說明書摘要公布了：本申請涉及一種功率器件及其制備方法、電子設備，包括：提供襯底、外延層；于外延層內形成經由外延層的第一表面，沿朝向襯底的第一方向依次排列的源區、基區及第一屏蔽區；第一屏蔽區具有第一預設厚度及第一摻雜濃度；其中，厚度用于表征沿第一方向的尺寸；形成沿平行于第一表面的第二方向間隔排列的第二屏蔽區，第二屏蔽區具有第二摻雜濃度，且沿第一方向貫穿第一屏蔽區并延伸至外延層內；于相鄰第二屏蔽區之間形成經由第一表面朝向外延層內延伸至第一屏蔽區的柵極；柵極的底面與第一屏蔽區底面之間具有預設距離值。通過精準控制柵極深度及第一屏蔽區的摻雜濃度，避免在導通狀態下第一屏蔽區形成導電溝道，影響器件導通特性。

本發明授權功率器件及其制備方法、電子設備在權利要求書中公布了：1.一種功率器件的制備方法，其特征在于，包括： 提供襯底；所述襯底頂面包括外延層； 于所述外延層內形成經由所述外延層的第一表面，沿朝向所述襯底的第一方向依次排列的源區、基區及第一屏蔽區；所述第一屏蔽區具有第一預設厚度及第一摻雜濃度；其中，所述厚度用于表征沿所述第一方向的尺寸； 形成沿平行于所述第一表面的第二方向間隔排列的第二屏蔽區，所述第二屏蔽區具有第二摻雜濃度，且沿所述第一方向貫穿所述第一屏蔽區并延伸至所述外延層內；所述第二摻雜濃度關聯于所述第二屏蔽區的厚度、所述第一預設厚度；所述第二屏蔽區包括： 第一部，所述第一部的底面與所述第一屏蔽區的頂面齊平； 第二部，所述第二部的頂面與所述第一屏蔽區的頂面齊平； 其中，所述第一部的第二摻雜濃度在背離所述第一方向上先增大后減小； 所述第二部的第二摻雜濃度在沿所述第一方向上先增大后減小； 于相鄰所述第二屏蔽區之間形成經由所述第一表面朝向所述外延層內延伸至所述第一屏蔽區的柵極；所述柵極的底面與所述第一屏蔽區底面之間具有預設距離值；所述第二部的第二摻雜濃度峰值位于距離所述柵極底面0.3μm-0.5μm處。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廣東芯粵能半導體有限公司，其通訊地址為：511462 廣東省廣州市南沙區萬頃沙鎮正翔路10號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。