江蘇捷捷微電子股份有限公司李小建獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江蘇捷捷微電子股份有限公司申請的專利Stoll封裝的MOS管溫度測試結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120261410B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510729760.4，技術領域涉及：H01L23/34；該發明授權Stoll封裝的MOS管溫度測試結構及其制造方法是由李小建;楊芹;侯輝;沈慧慧;王欣宇設計研發完成，并于2025-06-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本Stoll封裝的MOS管溫度測試結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了Stoll封裝的MOS管溫度測試結構及制造方法，所述MOS管包括有電極D、電極G和電極S，所述MOS管連接有用于測試的PCB測試板，所述PCB測試板設置有用于消除引腳短路故障的第一溝槽和用于熱電偶測試的第二溝槽，制備方法包括S1、將所述PCB測試板增加開設兩個溝槽；S2、所述PCB測試板采用開爾文四線制方式設置電路走線；本發明杜絕SMT后的焊接問題，整體PCB測試板的電路設計走線采用開爾文四線制，解決在線監控器件溫度時監控MOS的DS之間的Rdson內阻不精準問題，減少誤差。
本發明授權Stoll封裝的MOS管溫度測試結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.Stoll封裝的MOS管溫度測試結構，其特征在于：所述MOS管（1）包括有電極D（110）、電極G（120）和電極S（130），所述MOS管（1）連接有用于測試的PCB測試板（2），所述PCB測試板（2）設置有用于消除引腳短路故障的第一溝槽（140）和用于熱電偶測試的第二溝槽（150）； 所述第一溝槽（140）設置于所述PCB測試板（2）對應所述電極G（120）和所述電極S（130）之間； 所述PCB測試板（2）對應所述電極D（110）處設置有兩個焊盤（160），所述第二溝槽（150）設置于兩個所述焊盤（160）之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江蘇捷捷微電子股份有限公司，其通訊地址為：226000 江蘇省南通市啟東市經濟開發區錢塘江路3000號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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