買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉杭州譜析光晶半導體科技有限公司申請的專利一種變摻雜的平面柵碳化硅VDMOS器件及制備工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120201742B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510661798.2，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種變摻雜的平面柵碳化硅VDMOS器件及制備工藝是由許一力;李鑫;劉倩倩設計研發完成，并于2025-05-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種變摻雜的平面柵碳化硅VDMOS器件及制備工藝在說明書摘要公布了：本發明涉及MOS半導體技術領域，且公開了一種變摻雜的平面柵碳化硅VDMOS器件及制備工藝，包括由若干個相互并列的MOS元胞構成，單個MOS元胞包括漏極、半導體外延層、源極和柵極；半導體外延層包括N襯底層、N漂移層、P+層、N阱層和P阱層，單個MOS元胞的N漂移層中間處設有輕摻雜N層；單個MOS元胞的內部且位于N漂移層的左右兩側設有側對稱P?層，兩側側對稱P?層的相對應側截面輪廓呈圓弧狀。本發明通過在N漂移層中間設置輕摻雜N層，并在兩側引入圓弧狀側對稱P?層，這樣優化了器件的電場分布，降低了局部電場集中，顯著提高了擊穿電壓，而且側對稱P?層與N襯底層的接觸增強了電荷平衡能力，減少漏電流。

本發明授權一種變摻雜的平面柵碳化硅VDMOS器件及制備工藝在權利要求書中公布了：1.一種變摻雜的平面柵碳化硅VDMOS器件，包括由若干個相互并列的MOS元胞構成，單個MOS元胞包括漏極1、半導體外延層、源極4和柵極5；所述半導體外延層包括N襯底層2、N漂移層3、P+層8、N阱層9和P阱層10，其特征在于：單個所述MOS元胞的N漂移層3中間處設有輕摻雜N層6； 單個所述MOS元胞的內部且位于N漂移層3的左右兩側設有側對稱P-層7，兩側所述側對稱P-層7的相對應側截面輪廓呈圓弧狀；所述側對稱P-層7的底端與N襯底層2接觸； 所述輕摻雜N層6的內部底端通過離子注入形成有重摻雜N層11，所述重摻雜N層11的底端與N襯底層2接觸； 所述重摻雜N層11的內部中間區域通過離子注入形成有矩形P-層12，所述矩形P-層12的底端與N襯底層2接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州譜析光晶半導體科技有限公司，其通訊地址為：310000 浙江省杭州市蕭山區瓜瀝鎮航錢路168號3幢4層405(自主分割)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。