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龍圖騰網(wǎng)獲悉成都銳成芯微科技股份有限公司申請的專利110nm以下的嵌入式閃存及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120076325B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510531503.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/41；該發(fā)明授權(quán)110nm以下的嵌入式閃存及其制備方法是由陳精緯;陳飛龍;楊震;王宇龍;向建軍設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-04-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本110nm以下的嵌入式閃存及其制備方法在說明書摘要公布了：一種110nm以下的嵌入式閃存及其制備方法，所述110nm以下的嵌入式閃存包括：一個襯底，以及襯底上的存儲陣列區(qū)和外圍邏輯區(qū)，所述存儲陣列區(qū)中包含至少一個存儲單元，所述存儲單元包含：一個位于襯底中的公用源極，一條位于公用源極上方且與之相連的公用線；一對疊置柵極，分別位于公用線兩側(cè)，每個疊置柵極包括浮置柵極及其上方垂直疊置的控制柵極；一對選擇柵極，分別位于兩個疊置柵極的非公用線側(cè)的旁邊；所述外圍邏輯區(qū)中包含至少一個邏輯晶體管，邏輯晶體管包含邏輯柵極；其中所述存儲單元中的控制柵極與邏輯晶體管的邏輯柵極的高度相同。該嵌入式閃存的性能好且穩(wěn)定，可靠性好，而且制備方法簡單便捷、成本低。

本發(fā)明授權(quán)110nm以下的嵌入式閃存及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種110nm以下的嵌入式閃存，包括：一個襯底，以及襯底上的存儲陣列區(qū)和外圍邏輯區(qū)，所述存儲陣列區(qū)中包含至少一個存儲單元，所述存儲單元包含：一個位于襯底中的公用源極，一條位于公用源極上方且與之相連的公用線；一對疊置柵極，分別位于公用線兩側(cè)，每個疊置柵極包括浮置柵極和在其上方垂直疊置的控制柵極；一對選擇柵極，分別位于兩個疊置柵極的非公用線一側(cè)的旁邊；所述外圍邏輯區(qū)中包含至少一個標(biāo)準(zhǔn)邏輯晶體管，標(biāo)準(zhǔn)邏輯晶體管包含邏輯柵極；其特征在于：所述存儲單元中的控制柵極與標(biāo)準(zhǔn)邏輯晶體管的邏輯柵極的高度相同，而且所述控制柵極和邏輯柵極是在制備標(biāo)準(zhǔn)邏輯晶體管的工序中，通過同一沉積步驟沉積柵極材料、然后分別蝕刻而形成。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人成都銳成芯微科技股份有限公司，其通訊地址為：610094 四川省成都市高新區(qū)天府五街200號3號樓A區(qū)9樓；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。