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龍圖騰網獲悉中國科學院長春光學精密機械與物理研究所申請的專利一種集成側向泵浦源的半導體激光器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120049274B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510521387.3，技術領域涉及：H01S5/125；該發明授權一種集成側向泵浦源的半導體激光器是由張卓;張建偉;周寅利;劉天嬌;陳超;張繼業;寧永強;王立軍設計研發完成，并于2025-04-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種集成側向泵浦源的半導體激光器在說明書摘要公布了：本發明涉及激光器技術領域，尤其涉及一種集成側向泵浦源的半導體激光器，包括：殼體，殼體具有第一安裝腔和第二安裝腔；增益芯片位于第一安裝腔，且增益芯片與第二安裝腔正對；位于第一安裝腔內的環形側向泵浦源，環形側向泵浦源呈環形，且環形側向泵浦源套設在增益芯片外圈，環形側向泵浦源朝向增益芯片的環形側面向增益芯片的側面發射泵浦光；散熱結構，散熱結構位于增益芯片朝向第二安裝腔的頂面，且散熱結構自第一安裝腔伸入第二安裝腔，位于第二安裝腔內的散熱結構的側面與第二安裝腔的側壁相接觸；輸出耦合鏡，輸出耦合鏡位于出光窗口，且輸出耦合鏡位于散熱結構遠離增益芯片的一側。本發明至少有利于改善激光器的性能。

本發明授權一種集成側向泵浦源的半導體激光器在權利要求書中公布了：1.一種集成側向泵浦源的半導體激光器，其特征在于，包括：殼體，所述殼體具有相連通且沿豎直方向依次排布的第一安裝腔和第二安裝腔，所述第二安裝腔通過出光窗口與外界連通； 增益芯片，所述增益芯片位于所述第一安裝腔，且所述增益芯片與所述第二安裝腔正對，所述增益芯片包括沿豎直方向依次排布的襯底、DBR層、有源區以及窗口層，有源區中量子阱層的數量在5~50的范圍內，每個量子阱層的兩側均具有勢壘層，多個量子阱層間隔排布，勢壘層的厚度在50nm~500nm的范圍內； 位于所述第一安裝腔內的環形側向泵浦源，所述環形側向泵浦源呈環形，且所述環形側向泵浦源套設在所述增益芯片外圈，所述環形側向泵浦源朝向所述增益芯片的環形側面向所述增益芯片的側面發射泵浦光，所述環形側向泵浦源為環形的邊發射半導體激光器，環形的邊發射半導體激光器包括環形活性區、頂部波導、上電極和下電極，環形活性區呈環形，環形活性區包括環形有源區和位于環形有源區外圈的環形分布式布拉格反射器或環形高反射鏡，環形活性區的頂面具有多個波導，每個波導均沿環形活性區的徑向延伸，引導激光向環形活性區的中心軸輸出，上電極位于環形活性區頂面，下電極位于環形活性區底部，下電極為環狀或盤狀； 散熱結構，所述散熱結構位于所述增益芯片朝向所述第二安裝腔的頂面，且所述散熱結構自所述第一安裝腔伸入所述第二安裝腔，位于所述第二安裝腔內的所述散熱結構的側面與所述第二安裝腔的側壁相接觸； 輸出耦合鏡，所述輸出耦合鏡位于所述出光窗口，且所述輸出耦合鏡位于所述散熱結構遠離所述增益芯片的一側。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院長春光學精密機械與物理研究所，其通訊地址為：130033 吉林省長春市經濟技術開發區東南湖大路3888號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。