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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院微電子研究所申請的專利一種過溫保護電路及方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116339435B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310269912.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G05F1/567；該發(fā)明授權(quán)一種過溫保護電路及方法是由林興奎;蔡小五;高馬利;高悅欣;夏瑞瑞;張磊;李博設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-03-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種過溫保護電路及方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種過溫保護電路及方法，該過溫保護電路包括基準電流模塊、溫度檢測模塊、電流比較模塊；基準電流模塊的輸出端與電流比較模塊的輸入端連接；溫度檢測模塊的輸出端與電流比較模塊的另一輸入端連接，本申請利用電流比較模塊將接收到的正溫度系數(shù)電流以及基準電流進行比較，得到比較結(jié)果，并根據(jù)比較結(jié)果調(diào)整過溫保護電路的輸出電壓VOUT，不需要通過三極管的基極?發(fā)射極電壓進行溫度檢測，因此過溫保護電路不具有檢測溫度的固有缺點即檢測精度會受到制造工藝偏差的影響，提升了過溫保護電路的檢測精度。

本發(fā)明授權(quán)一種過溫保護電路及方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種過溫保護電路，其特征在于，包括：基準電流模塊、溫度檢測模塊、電流比較模塊； 所述基準電流模塊的輸出端與所述電流比較模塊的輸入端連接； 所述溫度檢測模塊的輸出端與所述電流比較模塊的另一輸入端連接； 所述電流比較模塊，當接收到所述基準電流模塊發(fā)送的基準電流，以及所述溫度檢測模塊發(fā)送的正溫度系數(shù)電流時，比較所述基準電流與所述正溫度系數(shù)電流，得到比較結(jié)果；根據(jù)所述比較結(jié)果調(diào)整輸出電壓VOUT； 其中，所述溫度檢測模塊包括：第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第七三極管、第八三極管、第九三極管、第十三極管、第七電阻、第八電阻、第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十七PMOS管、第十八PMOS管、第十九PMOS管、第二十PMOS管、第二十一PMOS管； 所述第十五PMOS管、所述第十六PMOS管、所述第十七PMOS管、所述第十八PMOS管、所述第七三極管和所述第八三極管組成自偏置結(jié)構(gòu)；所述第十五PMOS管的源極與所述第十六PMOS管的源極與電源電壓端口相連； 所述第二十PMOS管和所述第二十一PMOS管構(gòu)成共源共柵電流鏡；所述第二十PMOS管的源極與電源電壓端口相連； 所述第五NMOS管的漏極與所述第十八PMOS管的柵極、所述第十六PMOS管的柵極、所述第十九PMOS管的柵極相連，所述第五NMOS管的柵極和所述第八電阻的一端與所述第七NMOS管的漏極相連；所述第五NMOS管的源極接地； 所述第十九PMOS管的源極和所述第八電阻的另一端與電源電壓端口相連； 所述第七NMOS管的柵極與所述第六NMOS管的柵極和漏極相連；所述第七NMOS管的源極和所述第六NMOS管的源極接地； 所述第九三極管的基極與所述第十三極管的集電極相連，所述第九三極管的集電極與所述第十三極管的基極相連；所述第十三極管的發(fā)射極與第七電阻的一端相連；所述第七電阻的另一端和所述第九三極管的發(fā)射極接地。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號中國科學(xué)院微電子研究所；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。