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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海晶盟硅材料有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利晶圓沖洗效果檢測(cè)方法、裝置、設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116313866B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202310237689.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/66；該發(fā)明授權(quán)晶圓沖洗效果檢測(cè)方法、裝置、設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)是由張曉艷;吳勇;王康鋒;顧廣安設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-03-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本晶圓沖洗效果檢測(cè)方法、裝置、設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本公開(kāi)的實(shí)施例提供了一種晶圓沖洗效果檢測(cè)方法、裝置、設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)，應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取晶圓位于目標(biāo)水槽內(nèi)時(shí)目標(biāo)水槽內(nèi)純水的電阻率數(shù)據(jù)，其中，目標(biāo)水槽為干燥槽前最后一個(gè)水槽；根據(jù)目標(biāo)水槽內(nèi)純水的電阻率數(shù)據(jù)生成純水電阻率變化曲線；根據(jù)純水電阻率變化曲線對(duì)晶圓進(jìn)行沖洗效果檢測(cè)。以此方式，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓沖洗效果的檢測(cè)，確定晶圓表面是否殘留化學(xué)試劑，進(jìn)而避免沖洗效果不佳的晶圓流至下道工序。

本發(fā)明授權(quán)晶圓沖洗效果檢測(cè)方法、裝置、設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種晶圓沖洗效果檢測(cè)方法，其特征在于，所述方法包括： 獲取晶圓位于目標(biāo)水槽內(nèi)時(shí)目標(biāo)水槽內(nèi)純水的電阻率數(shù)據(jù)，其中，所述目標(biāo)水槽為干燥槽前最后一個(gè)水槽； 根據(jù)所述目標(biāo)水槽內(nèi)純水的電阻率數(shù)據(jù)生成純水電阻率變化曲線； 根據(jù)所述純水電阻率變化曲線對(duì)所述晶圓進(jìn)行沖洗效果檢測(cè)； 所述獲取晶圓位于目標(biāo)水槽內(nèi)時(shí)目標(biāo)水槽內(nèi)純水的電阻率數(shù)據(jù)，包括： 通過(guò)部署在所述目標(biāo)水槽內(nèi)的電阻率測(cè)量設(shè)備，對(duì)目標(biāo)水槽內(nèi)純水的電阻率進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)量，得到各時(shí)刻純水的電阻率數(shù)據(jù)； 從各時(shí)刻純水的電阻率數(shù)據(jù)中提取晶圓位于目標(biāo)水槽內(nèi)時(shí)純水的電阻率數(shù)據(jù)； 所述電阻率測(cè)量設(shè)備在所述目標(biāo)水槽內(nèi)的部署位置是最優(yōu)部署位置，所述最優(yōu)部署位置是通過(guò)以下步驟確定的： 獲取在所述目標(biāo)水槽內(nèi)部署的多個(gè)電阻率測(cè)量設(shè)備在目標(biāo)時(shí)間段內(nèi)測(cè)量的純水的電阻率數(shù)據(jù)； 其中，多個(gè)電阻率測(cè)量設(shè)備的部署位置不同，所述目標(biāo)時(shí)間段是未沖洗晶圓進(jìn)入所述目標(biāo)水槽直至離開(kāi)所述目標(biāo)水槽的時(shí)間段； 根據(jù)各電阻率測(cè)量設(shè)備在目標(biāo)時(shí)間段內(nèi)測(cè)量的純水的電阻率數(shù)據(jù)，計(jì)算各電阻率測(cè)量設(shè)備對(duì)應(yīng)的電阻率極差； 根據(jù)各電阻率測(cè)量設(shè)備對(duì)應(yīng)的電阻率極差對(duì)各電阻率測(cè)量設(shè)備進(jìn)行聚類(lèi)，得到多個(gè)設(shè)備集合； 根據(jù)各設(shè)備集合中各電阻率測(cè)量設(shè)備對(duì)應(yīng)的電阻率極差，計(jì)算各設(shè)備集合對(duì)應(yīng)的電阻率極差平均值； 從多個(gè)設(shè)備集合中選擇電阻率極差平均值最大的設(shè)備集合為目標(biāo)設(shè)備集合； 根據(jù)目標(biāo)設(shè)備集合中各電阻率測(cè)量設(shè)備的部署位置構(gòu)建空間模型； 確定所述空間模型的中心點(diǎn)所在位置為電阻率測(cè)量設(shè)備的最優(yōu)部署位置。

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